【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到射频微波，尤其涉及一种w波段高发射功率变频模块。
技术介绍
1、w波段频率范围为75ghz-110ghz，由于其频率高、波长短，导致在变频模块中，混频器的插入损耗和传输损耗都很大，因此需要合理规划走线和信号传输长度以及器件选型来降低功率的浪费。
2、除此之外，为实现小型化的w波段变频模块，系统集成复杂度较高，需要在保证小型化和高集成度的条件下，保证性能指标合格，这导致芯片的选取更为挑剔。
3、当发射功率较大时，末级功率放大器会产生大量的热量，这会导致长时间工作后，末级功率放大器的输出功率和增益发生巨大变化，致使产品稳定性降低。而高发射功率也会增加末级信号切换器件的选取难度。
4、公开号为cn103296973a，公开日为2013年09月11日的中国专利文献公开了一种w波段上变频模块，包括上层腔体和下层腔体，所述上层腔体内安装有电源印制电路板和绝缘子，下层腔体的顶部安装有射频链路，所述电源印制电路板通过绝缘子与射频链路垂直连接，所述上层腔体和下层腔体内还分别设置有波导结构，所述射频链路包括第一w波段放大器和第二w波段放大器、w波段混频器、第三w波段放大器和第四w波段放大器、中频衰减器，所述各元器件采用平面混合集成的方式布置，所述第一w波段放大器、第二w波段放大器、w波混频器、第三w波段放大器、第四w波段放大器依次连接，同时中频衰减器也与w波混频器连接；输入信号经第一w波段放大器和第二w波段放大器放大，再与从中频衰减器出来的中频信号一起通过混频器进行上变频，上变频后的射频信号经第三
5、该专利文献公开的w波段上变频模块，各元器件采用三维立体结构布置，射频链路中的元器件与电源印制电路板通过绝缘子垂直互连，增强了电源和元器件的隔离，提高了模块的电磁兼容性。但是，收发链路之间的隔离度欠佳，影响了链路性能；且调测时间长，调测成本高。
技术实现思路
1、本专利技术为了克服上述现有技术的缺陷，提供一种w波段高发射功率变频模块，本专利技术将各不同功能模块化设计并结合环形器，能够增加收发链路之间的隔离度，降低调测成本和时间，增强链路性能。
2、本专利技术通过下述技术方案实现：
3、一种w波段高发射功率变频模块，包括上变频组件和下变频组件，其特征在于：还包括发射放大组件、功放组件、环形器、低噪放组件和接收放大组件，所述发射放大组件与上变频组件电连接，上变频组件与功放组件电连接，所述低噪放组件与下变频组件电连接，下变频组件与接收放大组件电连接，所述环形器分别与功放组件和低噪放组件电连接。
4、所述环形器，用于切换接收信号和发送信号。
5、所述低噪放组件包括限幅器和低噪声放大器，限幅器和低噪声放大器电连接。
6、所述限幅器，用于降低高输入功率，使低噪声放大器处于线性区。
7、所述接收放大组件包括两个衰减器和两个放大器，衰减器和放大器电连接。
8、所述衰减器，用于调节输入端口驻波。
9、所述放大器，用于链路放大。
10、所述发射放大组件，用于放大中频信号，发射放大组件包括一级低噪声放大器和二级低噪声放大器，一级低噪声放大器和二级低噪声放大器电连接。
11、所述功放组件包括一级驱动放大器和一级功率放大器，一级驱动放大器和一级功率放大器电连接。
12、所述下变频组件包括第一驱动放大器、第一衰减器、混频器、第二衰减器、滤波器、第三衰减器、第二驱动放大器、第四衰减器、镜频滤波器和第五衰减器，第一驱动放大器与第一衰减器电连接，混频器分别与第二衰减器和第四衰减器电连接，滤波器分别与第二衰减器和第三衰减器电连接，第三衰减器与第二驱动放大器电连接，镜频滤波器分别与第四衰减器和第五衰减器电连接。
13、本专利技术的有益效果主要表现在以下方面：
14、一、本专利技术，发射放大组件与上变频组件电连接，上变频组件与功放组件电连接，低噪放组件与下变频组件电连接，下变频组件与接收放大组件电连接，环形器分别与功放组件和低噪放组件电连接，较现有技术而言，将各不同功能模块化设计并结合环形器，能够增加收发链路之间的隔离度，降低调测成本和时间，增强链路性能。
15、二、本专利技术，采用环形器来实现收发切换功能，相较于普通单刀双掷开关而言，环形器作为无源器件，能承受高功率输入，且不需要在背面安装具有电源调制功能的pcb板，从而能够大大降低产品成本。
16、三、本专利技术，采用环形器来实现收发切换功能，相较于开关芯片而言，拥有更高的隔离度，使得整个变频模块发射时，能够有效减小对接收链路的影响。
17、四、本专利技术，低噪放组件包括限幅器和低噪声放大器，限幅器和低噪声放大器电连接，通过限幅器不仅能降低高输入功率以保证低噪声放大器处于线性区，还能进一步增加收发链路之间的隔离度。
18、五、本专利技术，接收放大组件包括两个衰减器和两个放大器，衰减器和放大器电连接，通过两个衰减器，能够调节输入端口驻波和防止两个放大器出现自激现象。
19、六、本专利技术，对不同功能进行模块化划分，能够增加通道间的隔离度，并降低通道间的相互影响，并通过对比测试，可实现放大器之间的自激检查，从而更好的优化电路。
20、七、本专利技术，下变频组件包括第一驱动放大器、第一衰减器、混频器、第二衰减器、滤波器、第三衰减器、第二驱动放大器、第四衰减器、镜频滤波器和第五衰减器，第一驱动放大器与第一衰减器电连接，混频器分别与第二衰减器和第四衰减器电连接，滤波器分别与第二衰减器和第三衰减器电连接，第三衰减器与第二驱动放大器电连接，镜频滤波器分别与第四衰减器和第五衰减器电连接，通过在混频器前加镜频滤波器，能够抑制镜像频率，同时在滤波器前后设置第二衰减器和第三衰减器，能够保障无源器件之间驻波，从而降低传输的损耗。
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1.一种W波段高发射功率变频模块，包括上变频组件和下变频组件，其特征在于：还包括发射放大组件、功放组件、环形器、低噪放组件和接收放大组件，所述发射放大组件与上变频组件电连接，上变频组件与功放组件电连接，所述低噪放组件与下变频组件电连接，下变频组件与接收放大组件电连接，所述环形器分别与功放组件和低噪放组件电连接。
2.根据权利要求1所述的一种W波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述环形器，用于切换接收信号和发送信号。
3.根据权利要求1所述的一种W波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述低噪放组件包括限幅器和低噪声放大器，限幅器和低噪声放大器电连接。
4.根据权利要求3所述的一种W波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述限幅器，用于降低高输入功率，使低噪声放大器处于线性区。
5.根据权利要求1所述的一种W波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述接收放大组件包括两个衰减器和两个放大器，衰减器和放大器电连接。
6.根据权利要求5所述的一种W波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述衰减器，用于调节输入端口驻波。
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8.根据权利要求1所述的一种W波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述发射放大组件，用于放大中频信号，发射放大组件包括一级低噪声放大器和二级低噪声放大器，一级低噪声放大器和二级低噪声放大器电连接。
9.根据权利要求1所述的一种W波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述功放组件包括一级驱动放大器和一级功率放大器，一级驱动放大器和一级功率放大器电连接。
10.根据权利要求1所述的一种W波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述下变频组件包括第一驱动放大器、第一衰减器、混频器、第二衰减器、滤波器、第三衰减器、第二驱动放大器、第四衰减器、镜频滤波器和第五衰减器，第一驱动放大器与第一衰减器电连接，混频器分别与第二衰减器和第四衰减器电连接，滤波器分别与第二衰减器和第三衰减器电连接，第三衰减器与第二驱动放大器电连接，镜频滤波器分别与第四衰减器和第五衰减器电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种w波段高发射功率变频模块，包括上变频组件和下变频组件，其特征在于：还包括发射放大组件、功放组件、环形器、低噪放组件和接收放大组件，所述发射放大组件与上变频组件电连接，上变频组件与功放组件电连接，所述低噪放组件与下变频组件电连接，下变频组件与接收放大组件电连接，所述环形器分别与功放组件和低噪放组件电连接。
2.根据权利要求1所述的一种w波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述环形器，用于切换接收信号和发送信号。
3.根据权利要求1所述的一种w波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述低噪放组件包括限幅器和低噪声放大器，限幅器和低噪声放大器电连接。
4.根据权利要求3所述的一种w波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述限幅器，用于降低高输入功率，使低噪声放大器处于线性区。
5.根据权利要求1所述的一种w波段高发射功率变频模块，其特征在于：所述接收放大组件包括两个衰减器和两个放大器，衰减器和放大器电连接。
6.根据权利要求5所述的一种w波段高发射功率变频模块，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗曜，刘前，胡奇，刘巧，乐怡文，
申请(专利权)人：航天科工微电子系统研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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