【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路领域，特别是涉及一种互补金属氧化物半导体芯片的管控系统以及计算机设备。
技术介绍
1、cmos（complementary metal oxide semiconductor互补金属氧化物半导体）在计算机设备中用于存储bios（basic input/output system，基本输入输出系统）的设置信息，在某些服务器无法正常开机的情况下，需要采用对cmos芯片进行放电的方式清除cmos芯片中的数据，从而尝试使服务器正常开机，然而相关技术中缺少一种成熟的cmos芯片的管控系统，导致清除cmos芯片数据的操作存在繁琐、技术难度高以及普适性差等问题。
2、因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种互补金属氧化物半导体芯片的管控系统以及计算机设备，本专利技术中由（分别与电源供电电路及cmos芯片连接的）放电控制电路，在存在放电控制需求时执行“断开供电且cmos芯片接地”的放电控制逻...
【技术保护点】
1.一种互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述放电控制电路包括：
3.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述电源供电电路包括：
4.根据权利要求3所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述互补金属氧化物半导体芯片的管控系统还包括：
5.根据权利要求3所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述控制器的第一检测端口还与所述电池供电模块的输出端连接；
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述放电控制电路包括：
3.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述电源供电电路包括：
4.根据权利要求3所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述互补金属氧化物半导体芯片的管控系统还包括：
5.根据权利要求3所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述控制器的第一检测端口还与所述电池供电模块的输出端连接；
6.根据权利要求3所述的互补金属氧化物半导体芯片的管控系统，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕元生，张莉，
申请(专利权)人：浪潮计算机科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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