用于产生底部氧化物的方法技术

一种用于在沟槽结构中产生(厚)底部氧化物的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供包括至少一个沟槽结构的基底，所述沟槽结构包括底部和侧壁；‑在所述基底的表面、所述底部和所述侧壁上沉积多晶硅层；‑在所述多晶硅层上沉积氧化物层；‑在所述氧化物层上沉积氮化物层；‑对所述氮化物层进行各向异性干法蚀刻；‑将所述多晶硅层的多晶硅热氧化以局部地产生厚氧化物层；‑湿法蚀刻；‑在至少沿所述底部和所述表面的所述厚氧化层上沉积另外的氧化层，或者在沿所述底部和所述表面的剩余氧化物上以及在侧壁上沉积另外的氧化层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方案涉及一种用于产生(厚)底部氧化物的方法。进一步的实施方案涉及所得产品。一般而言，本专利技术的实施方案属于mosfet晶体管或沟槽mosfet晶体管领域。优选的实施方案涉及在沟槽mosfet(金属-氧化物半导体场效应晶体管)中生产栅极氧化物的工艺，所述沟槽mosfet是一种碳化硅基(sic)功率半导体元件。

技术介绍

1、基于sic的沟槽mosfet具有降低导通电阻的潜力，这主要归因于没有jfet区域的更高单元密度。此外，沟槽mosfet在沟槽侧可能具有改进的通道迁移率，特别是与平面mosfet相比时。该特征导致高单元集成密度，从而减少芯片面积并最终降低单位成本。

2、在本专利技术的实施方案中，已经认识到栅极氧化物在确定沿沟槽侧壁的沟道迁移率方面起着重要作用。这在沟槽底部强烈暴露于电场，因此已经认识到需要在这里进行优化。

3、在现有技术中，存在一些改进栅极氧化物的性质和可制造性的方法。

4、为了解决栅极氧化物过早击穿的问题，已经提出了不同的扩展屏蔽配置。在这些配置中，tbo(厚底部氧化物)结构很有前途。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于在沟槽结构(14)中产生(厚)底部氧化物(28b)的方法(100)，所述方法(100)包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中在干法蚀刻(150)期间，沿所述侧壁(14s)保留和/或形成由所述氮化物层(20)的氮化物构成的间隔体(24)。

3.根据权利要求1所述的方法(100)，其中在干法蚀刻(150)期间去除所述底部(14b)和所述表面(12o)上的所述氮化物层(20)的氮化物，和/或其中在干法蚀刻(150)期间暴露出所述底部(14b)和所述表面(12o)上的所述氧化物层(18)的所述氧化物。

4.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种用于在沟槽结构(14)中产生(厚)底部氧化物(28b)的方法(100)，所述方法(100)包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中在干法蚀刻(150)期间，沿所述侧壁(14s)保留和/或形成由所述氮化物层(20)的氮化物构成的间隔体(24)。

3.根据权利要求1所述的方法(100)，其中在干法蚀刻(150)期间去除所述底部(14b)和所述表面(12o)上的所述氮化物层(20)的氮化物，和/或其中在干法蚀刻(150)期间暴露出所述底部(14b)和所述表面(12o)上的所述氧化物层(18)的所述氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法(100)，其中由所述氮化物暴露的底部(14b)和暴露的表面(12o)的氧化在氧化(160)期间发生。

5.根据权利要求1所述的方法(100)，其中在氧化(160)期间沿所述侧壁不发生氧化，和/或在沿所述侧壁的由所氮化物层(20)的氮化物构成的间隔体(24)的区域中不发生氧化。

6.根据权利要求1所述的方法(100)，其中所述多晶硅在氧化(160)期间与所述氧化物结合，以在所述底部(14b)和/或所述表面(12o)处形成厚氧化物区域；和/或

7.根据权利要求1所述的方法(100)，其中在湿法蚀刻期间沿所述侧壁去除由所述氮化物层(20)的氮化物构成的间隔体(24)；和/...

【专利技术属性】
技术研发人员：林敏佑，阿莱萨·福斯，托拜厄斯·埃尔巴赫，
申请(专利权)人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会，
类型：发明
国别省市：