一种具有动态识别特性的二维SnS2突触器件制造技术

本发明专利技术属于二维材料与突触计算领域，具体涉及一种二维SnS<subgt;2</subgt;突触器件、制备方法和在计算机动态目标识别与分类中的应用。本发明专利技术以SiO<subgt;2</subgt;/Si为衬底，通过盐辅助化学气相沉积法制备得到SnS<subgt;2</subgt;半导体薄膜，再在SnS<subgt;2</subgt;半导体薄膜上通过电子束曝光与热蒸镀技术固定Cr/Au电极得到SnS<subgt;2</subgt;突触器件；通过上述方法得到的SnS<subgt;2</subgt;半导体薄膜以及得到的SnS<subgt;2</subgt;突触器件具有一定的时间尺度识别的可调性，能够在可控的动态范围内调整其电导率，从而在硬件中具有可调的动态范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二维材料与突触计算领域，具体涉及一种具有动态识别特性的二维sns2突触器件。

技术介绍

1、运动识别的存内计算与实时学习是计算机视觉中一个重要而新兴的领域，为机器理解周围复杂的运动模式提供了必要的智能条件。在硬件方面，传统互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器的性能受到其有限帧率和时间分辨率的限制，当利用其进行存内计算时可能导致运动识别模糊和信息丢失，阻碍对运动的准确识别与分类。

2、为了开发大范围可控动力学兼容的硬件，实现可调的动态范围，人们迫切需要具有超高响应性、高灵敏度和良好稳定性的光电器件。基于二维半导体材料构筑的突触器件具有一定时间尺度的可调节能力，能够在可控的动态范围内调整其电导率，从而在硬件中具有可调的动态范围，有望提升基于传统cmos的存内计算的分类精度与识别准确度。

技术实现思路

1、基于以上分析，本专利技术提出了一种具有动态识别特性的二维sns2突触器件，其电导值可以进行动态调制，可应用于提升传统cmos存内计算的分类精度。

2、为此，本申请的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二维SnS2突触器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，使用碘化钾进行所述盐辅助。

3.根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于，所述盐辅助化学气相沉积法为在化学沉积法下，使硫粉与氧化锡和碘化钾反应形成SnS2薄膜。

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述氧化锡和碘化钾的质量比为5：1。

5.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述反应在热环境下进行，所述热环境温度为硫粉温区200℃，氧化锡和碘化钾温区700℃。

6.一种根据权利要求1-5任一所述制备方法制...

【技术特征摘要】

1.一种二维sns2突触器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，使用碘化钾进行所述盐辅助。

3.根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于，所述盐辅助化学气相沉积法为在化学沉积法下，使硫粉与氧化锡和碘化钾反应形成sns2薄膜。

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙林锋，余天泽，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：