【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
0、背景
1、i.
2、本公开的领域涉及包括由封装基板支撑的一个或多个半导体管芯的集成电路(ic)封装件，并且更具体地涉及将电容器耦合到ic封装件中的管芯以支持信号处理和/或电源完整性。
3、ii.
技术介绍
4、集成电路(ic)是电子设备的基石。ic被封装在ic封装件(也被称为“半导体封装件”或“芯片封装件”)中。ic封装包括一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯被安装在封装基板上并且电耦合到封装基板以提供针对(诸)管芯的物理支撑和电接口。ic封装件可耦合到印刷电路板(pcb)以将ic封装件中的电路对接到耦合到pcb的其他电组件。ic封装件还可耦合到pcb中的配电网络内的功率轨和接地轨以接收电力以进行操作。例如，pcb可以包括外部互连器，该外部互连器被配置为耦合到功率源以接收在其配电网络中分配以提供给ic封装件的功率信号。
5、通常将电容器耦合到ic封装件中的电路。电容器可耦合到ic封装件中的电路作为用于ic封装件中的管芯的滤波电路的一部分。电容器还可耦合到ic封装件中的电路，以便为ic封装件中的管芯中的电路提供去耦电容，以将噪声从一个电路(例如，电源电路)分流到另一电路(例如，被供电电路)。例如，为了为ic封装件提供去耦电容，去耦电容器可耦合到ic封装件的封装基板或ic封装件所耦合到的同一pcb。去耦电容器可耦合到封装基板或pcb的外表面，使得去耦电容器电耦合到封装基板或pcb中的配电网络的功率轨和接地轨。例如，去耦电容器可耦合到ic封装件耦
技术实现思路
1、本文所公开的各方面包括在用于电容器的布线基板中提供较低电感路径。还公开了相关的电子设备和制造方法。作为一个示例，布线基板可以是集成电路(ic)封装件的封装基板。又如，布线基板可以是电路板(例如，印刷电路板(pcb))，其中ic芯片或其他ic封装件被耦合以在pcb与ic芯片/ic封装件之间提供电信号布线。布线基板包括一个或多个金属化层，该一个或多个金属化层各自包括由介电层绝缘的金属层。电容器耦合到布线基板并且可以电耦合到布线基板的金属化层中的金属层中的平面(“功率平面”)以提供去耦电容。相邻金属化层中的金属层之间的介电层的厚度影响耦合到此类相邻金属层中的功率平面的设备(例如，电容器)的互连电感，这是因为当在相邻金属层中的功率平面中承载功率信号时，在相邻金属层之间产生磁通回路。相邻金属层之间的介电层的厚度越大，这些相邻金属层之间的互连电感越大。例如，增加的互连电感可导致耦合到此类功率平面的电容器的性能损失。因此，在示例性方面，为了在布线基板中的配电网络中提供较低的互连电感，在相邻金属化层中的相邻金属层之间的介电层中设置用于提供第二功率平面的附加金属平面。第一功率平面设置在相邻金属化层中的一个金属化层中的金属层中。在相邻金属化层中的相邻金属层之间的介电层中设置第二功率平面减小了第一功率平面与第二功率平面之间的介电层的介电材料的厚度。第一功率平面与第二功率平面之间的这种减小的介电厚度可以减小针对耦合到第一功率平面和第二功率平面的电容器的互连电感。
2、作为一个示例，作为附加第二功率平面的附加金属平面可以是相邻金属化层中的相邻金属层之间的介电层中的单独的附加金属平面。这减小了第一功率平面与第二功率平面之间的厚度，以减小第一功率平面与第二功率平面之间的互连电感。又如，作为附加第二功率平面的附加金属平面可以设置在相邻金属化层的金属层中的一个金属层中，并且厚度增加以至少部分地设置在相邻金属化层中的相邻金属层之间的介电层中。在该示例中，这也减小了第一功率平面与第二功率平面之间的厚度，以减小第一功率平面与第二功率平面之间的互连电感。
3、当到所耦合电容器的信号布线路径需要布线基板中的水平布线路径时，在布线基板的金属化层中提供附加金属平面作为附加第二功率平面以减小第一功率平面与第二功率平面之间的介电材料的厚度可以是特别有利的。这是因为电路板或封装基板制造限制可能在布线基板中强加或要求金属化层之间的最小距离，该最小距离控制相邻金属化层之间的最小介电层厚度。提供附加金属平面作为用于所耦合电容器的附加第二功率平面以减小到电容器的互连电感可允许将电容器放置在电路板或封装基板上的更多灵活性。例如，电容器可能够放置在将需要电容器与ic封装件或电路之间的水平布线的区域中的电路板或封装基板中，该ic封装件或电路原本将由于水平布线引起的较长信号布线路径而具有到电容器的增加的互连电感。例如，将电容器放置在需要水平信号布线的电路板或封装基板上可能比将电容器放置在将允许竖直信号布线的电路板或封装基板上更容易。
4、在一个示例性方面，布线基板是电路板(例如，印刷电路板(pcb))。在一个示例中，ic封装件包括耦合到电路板的一个或多个管芯，其中管芯间接电耦合到电路板。又如，管芯直接耦合到电路板。电容器还耦合到电路板并且耦合第一金属化层的第一金属层中的第一功率平面和作为附加第二功率平面的附加金属平面，两者间具有减小的介电材料厚度，以向耦合到电路板的ic封装件或管芯提供去耦合电容。电容器可以是在ic封装件或管芯被耦合时在电路板的同一侧上耦合到电路板的外表面的封装侧电容器。电容器还可以是在ic封装件或管芯被耦合时在电路板的相对侧上耦合到电路板的外表面的焊盘侧电容器(lsc)。由附加金属平面促进的到电容器的减小的互连电感可减轻或抵消由提供到电容器的较长信号布线路径引起的任何增加的电感。这在将电容器耦合到电路板时提供了附加的灵活性，其利用了可用空间并且/或者避免了增加ic封装件/管芯和电路板的总体高度的需要。附加电容器也可耦合到竖直对准于ic封装件或管芯的电路板，其仅需要附加电容器与ic封装件或管芯之间的竖直信号布线路径。
5、在另一示例性方面，布线基板是ic封装件的封装基板。电容器还耦合到封装基板并且耦合到第一金属化层的第一金属层中的第一功率平面和作为附加第二功率平面的附加金属平面，两者间具有减小的介电材料厚度，以向耦合到封装基板的管芯提供去耦合电容。电容器可以是在管芯所耦合到的封装基板的同一侧上耦合到封装基板的外表面的封装侧电容器。电容器还可以是在管芯所耦合到的封装基板的相对侧上耦合到封装基板的外表面的lsc。由附加金属平面促进的到电容器的减小的互连电本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电子设备，所述电子设备包括：
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述第一互连电感与所述第二互连电感的比率至少为10.0。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第二金属平面耦合到所述第二金属层中的第三金属平面。
5.根据权利要求4所述的电子设备，其中：
6.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
7.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述第二金属平面沿所述第二方向与所述第一金属层相距第二距离设置，
8.根据权利要求6所述的电子设备，其中：
9.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述第一高度与所述第一距离之间的比率至少为10.0。
10.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
11.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述第二金属平面沿与所述第一方向正交的第二方向与所述第二金属层相距第二距离设置，
12.根据权利要求10所述的电子设备，其中：
13.根据权利要求10所述的电子设备，其中所
14.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备还包括：IC封装件；
15.根据权利要求14所述的电子设备，其中：
16.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备包括：IC封装件，所述IC封装件包括：
17.根据权利要求16所述的电子设备，其中：
18.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述电容器包括深沟槽电容器(DTC)。
19.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
20.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备集成到选自由以下项组成的组的设备中：机顶盒；娱乐单元；导航设备；通信设备；固定位置数据单元；移动位置数据单元；全球定位系统(GPS)设备；移动电话；蜂窝电话；智能电话；会话发起协议(SIP)电话；平板电脑；平板手机；服务器；计算机；便携式计算机；移动计算设备；
21.一种制造电子设备的方法，所述方法包括：
22.根据权利要求21所述的方法，所述方法还包括将所述第二金属平面耦合到所述第二金属层中的第三金属平面。
23.根据权利要求21所述的方法，其中：
24.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述第二金属平面还包括沿所述第二方向与所述第一金属层相距第二距离形成所述第二金属平面，并且
25.根据权利要求21所述的方法，其中：
26.根据权利要求25所述的方法，其中形成所述第二金属平面还包括沿所述第二方向与所述第二金属层相距第二距离形成所述第二金属平面，并且
27.根据权利要求21所述的方法，所述方法还包括将管芯耦合到所述第一金属平面和所述第二金属平面。
28.根据权利要求27所述的方法，其中：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子设备，所述电子设备包括：
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述第一互连电感与所述第二互连电感的比率至少为10.0。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第二金属平面耦合到所述第二金属层中的第三金属平面。
5.根据权利要求4所述的电子设备，其中：
6.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
7.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述第二金属平面沿所述第二方向与所述第一金属层相距第二距离设置，
8.根据权利要求6所述的电子设备，其中：
9.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述第一高度与所述第一距离之间的比率至少为10.0。
10.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
11.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述第二金属平面沿与所述第一方向正交的第二方向与所述第二金属层相距第二距离设置，
12.根据权利要求10所述的电子设备，其中：
13.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述第一高度与所述第一距离之间的比率至少为10.0。
14.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备还包括：ic封装件；
15.根据权利要求14所述的电子设备，其中：
16.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备包括：ic封装件，所述ic封装...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·谢，S·K·潘迪，CK·金，R·莱恩，C·D·佩恩特，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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