【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
0、背景
1、i.
2、本公开的领域涉及包括由封装基板支撑的一个或多个半导体管芯的集成电路(ic)封装件，并且更具体地涉及将电容器耦合到ic封装件中的管芯以支持信号处理和/或电源完整性。
3、ii.
技术介绍
4、集成电路(ic)是电子设备的基石。ic被封装在ic封装件(也被称为“半导体封装件”或“芯片封装件”)中。ic封装包括一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯被安装在封装基板上并且电耦合到封装基板以提供针对(诸)管芯的物理支撑和电接口。ic封装件可耦合到印刷电路板(pcb)以将ic封装件中的电路对接到耦合到pcb的其他电组件。ic封装件还可耦合到pcb中的配电网络内的功率轨和接地轨以接收电力以进行操作。例如，pcb可以包括外部互连器，该外部互连器被配置为耦合到功率源以接收在其配电网络中分配以提供给ic封装件的功率信号。
5、通常将电容器耦合到ic封装件中的电路。电容器可耦合到ic封装件中的电路作为用于ic封装件中的管芯的滤波电路的一部分。电容器还可...
【技术保护点】
1.一种电子设备，所述电子设备包括：
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述第一互连电感与所述第二互连电感的比率至少为10.0。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第二金属平面耦合到所述第二金属层中的第三金属平面。
5.根据权利要求4所述的电子设备，其中：
6.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
7.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述第二金属平面沿所述第二方向与所述第一金属层相距第二距离设置，
8.根据权利要求6所述的电子设备
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子设备，所述电子设备包括：
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中所述第一互连电感与所述第二互连电感的比率至少为10.0。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第二金属平面耦合到所述第二金属层中的第三金属平面。
5.根据权利要求4所述的电子设备，其中：
6.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
7.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述第二金属平面沿所述第二方向与所述第一金属层相距第二距离设置，
8.根据权利要求6所述的电子设备，其中：
9.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述第一高度与所述第一距离之间的比率至少为10.0。
10.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
11.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述第二金属平面沿与所述第一方向正交的第二方向与所述第二金属层相距第二距离设置，
12.根据权利要求10所述的电子设备，其中：
13.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述第一高度与所述第一距离之间的比率至少为10.0。
14.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备还包括：ic封装件；
15.根据权利要求14所述的电子设备，其中：
16.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备包括：ic封装件，所述ic封装...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·谢，S·K·潘迪，CK·金，R·莱恩，C·D·佩恩特，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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