低相干性面发射激光器（LCSEL）制造技术

本发明专利技术的实施例涉及包含随机不对称腔的半导体面发射光源。与传统的垂直腔面发射激光器（vertical‑cavity surface‑emitting laser，VCSEL）相比，本文提出的设计产生的光的相干性较低，因此发射光束中相干性伪影（散斑）的密度较低。这对于成像、画面显示、全息和断层扫描应用是可取的。本发明专利技术实施例提供了可以通过破坏半导体光源的腔的对称性来降低光的时间和/或空间相干性的不同设计。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及包含随机非对称腔的半导体面发射光源。与传统的垂直腔面发射激光器（vertical-cavity surface-emitting laser，vcsel）相比，本文提出的设计产生的光相干性较低，因此发射光束中相干性伪影（散斑）的密度较低。这对于成像、画面显示、全息和断层扫描应用是可取的。本专利技术提供了可以通过破坏半导体光源的腔的对称性来降低光的时间和/或空间相干性（temporal and/or spatial coherence of light）的不同设计。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器（vcsel）由于其相对于传统边发射激光器（edge-emittinglasers）的优势而获得了学术界和工业界的广泛关注。这些优势包括通过在同一晶片上制造大量器件的阵列，同时通过光输出配置允许进行晶片上测试，从而易于大批量生产。这使得它们成为消费电子产品中更实惠的激光器选择。由于包含的短腔，vcsel的独特设计还实现了单纵模（single-longitudinal mode）发射，这使得自由光谱范围可以增加到超过有源区增益分布的宽度。通过缩小孔径（本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低相干性面发射激光器，包括：

2.根据权利要求1所述的低相干性面发射激光器，其特征在于，所述n型衬底、所述n型缓冲层、所述n型间隔层和所述p型接触层由GaAs制成，所述n型DBR层由Al成分在5%与90%之间交替的AlGaAs制成，所述MQW有源区由InGaAs量子阱和GaAsP量子势垒制成，所述氧化层由Al成分为98%的AlGaAs制成，所述p型间隔层中的孔隙使用电化学阳极蚀刻形成，所述介电DBR由氧化硅和氮化硅交替层组成。

3.根据权利要求1所述的低相干性面发射激光器，其特征在于，所述孔隙是在所述n型间隔层而非所述p型间隔层中产生。

4.根...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种低相干性面发射激光器，包括：

2.根据权利要求1所述的低相干性面发射激光器，其特征在于，所述n型衬底、所述n型缓冲层、所述n型间隔层和所述p型接触层由gaas制成，所述n型dbr层由al成分在5%与90%之间交替的algaas制成，所述mqw有源区由ingaas量子阱和gaasp量子势垒制成，所述氧化层由al成分为98%的algaas制成，所述p型间隔层中的孔隙使用电化学阳极蚀刻形成，所述介电dbr由氧化硅和氮化硅交替层组成。

3.根据权利要求1所述的低相干性面发射激光器，其特征在于，所述孔隙是在所述n型间隔层而非所述p型间隔层中产生。

4.根据权利要求1所述的低相干性面发射激光器，其特征在于，所述介电dbr层由放置在所述p型接触层下方的al成分在5%与90%之间交替的p型algaas层取代。

5.一种低相干性面发射激光器，包括：

6.根据权利要求5所述的低相干性面发射激光器，其特征在于，所述n型衬底、所述n型缓冲层、所述n型间隔层和所述p型接触层由gaas制成，所述n型dbr层由al成分在5%与90%之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥马尔·阿尔哈兹拉吉，董明，张军平，梁栋，伍田祺，哈坎·巴奇，B·S·黄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：