【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体废水领域，具体涉及一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构。
技术介绍
1、电子半导体废水是半导体生产过程中产生的一种废水，主要来源于半导体研磨过程和集成电路制造过程中的废水排放。这些废水包含了酸碱废水、含氟废水、含磷废水、氨氮废水等多种成分，其中半导体废水中重金属含量高，需要对其中含有的重金属进行沉淀清除。
2、上述专利中在现有的半导体废水处理用重金属离子沉淀，基本采用简单方法向废水中加入药剂后，采用沉淀法将重金属离子从水中进行分离，而简单的加入药剂等待重金属离子从半导体废水中分离，效率过于缓慢。
3、因此，专利技术一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，通过将半导体废水和氢氧化物、硫化物加入沉淀箱体内，利用传动杆带动框架与内部的过滤网转动，使得半导体废水和氢氧化物、硫化物充分的融合反应，使重金属离子以沉淀物的形式析出，而框架在转动时，利用内部的过滤...
【技术保护点】
1.一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，其特征在于：包括沉淀箱体（1）；
2.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，其特征在于：所述沉淀箱体（1）的内部两侧表面开设有滑槽（7），所述第一过滤板（9）的两侧固定连接有滑块（8）。
3.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，其特征在于：所述传动杆（11）的外部固定安装有刮板（12），所述刮板（12）与第一过滤板（9）相贴合。
4.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，其特征在于：所述限位机构（16）包括限位杆（1601...
【技术特征摘要】
1.一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，其特征在于：包括沉淀箱体（1）；
2.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，其特征在于：所述沉淀箱体（1）的内部两侧表面开设有滑槽（7），所述第一过滤板（9）的两侧固定连接有滑块（8）。
3.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，其特征在于：所述传动杆（11）的外部固定安装有刮板（12），所述刮板（12）与第一过滤板（9）相贴合。
4.根据权利要求1所述的一种半导体废水处理用重金属离子沉淀机构，其特征在于：所述限位机构（16）包括限位杆（1601）、固定套（1602）、弹簧（1603）、把手（1604），所述限位杆（1601）设置在固定块（13）...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶玉珊，
申请(专利权)人：江苏禾衡环境工程有限公司，
类型：新型
国别省市：
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