【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电路保护，具体涉及一种mos管输出端短路及过流保护电路。
技术介绍
1、利用低功率信号输入来控制金属-氧化物-半导体场效应晶体管mosfet，或简称mos管，进而控制高功率负载输出是很常见。
2、如图2所示为目前常见的控制电路的电路图，其技术方案为：第一直流电源正极t11通过第一电阻11与第一npn型三极管vt11的集电极连接。信号输入端t12通过第二电阻12与第一npn型三极管vt11的连接，第一npn型三极管vt11的控制极连接第三电阻13，再连接到地gnd，第一npn型三极管vt11的发射极也接地。第一npn型三极管vt11的集电极通过连接第四电阻14再连接到mos管q11的栅极。mos管q11的源极连接到第一直流电源正极t11、漏极连接到用于防止反向电流的第一二极管15的正极，第一二极管15的负极连接到负载输出端t13。综上控制电路形成控制信号传递链如下：信号输入端t12负责接收信号外接的芯片的高电平输出信号或者低电平输出信号，若是高电平输出信号，传递给第一npn型三极管vt11的控制极后，集电极和发射极之...
【技术保护点】
1.一种MOS管输出端短路及过流保护电路，其特征在于，包括：直流电源正极(T101)、信号输入端(T102)、负载输出端(T103)、第一降压或限流元件(101)、第二降压或限流元件(102)、第三降压或限流元件(103)、第四降压或限流元件(104)、第一半导体开关(VT101)、MOS管(Q101)、第一二极管(D1)；
2.根据权利要求1所述的一种MOS管输出端短路及过流保护电路，其特征在于，所述短路自锁定子电路(3)包括：第三半导体开关(VT103)、第四半导体开关(VT104)、第六降压或限流元件(106)、第八降压或限流元件(108)；
...【技术特征摘要】
1.一种mos管输出端短路及过流保护电路，其特征在于，包括：直流电源正极(t101)、信号输入端(t102)、负载输出端(t103)、第一降压或限流元件(101)、第二降压或限流元件(102)、第三降压或限流元件(103)、第四降压或限流元件(104)、第一半导体开关(vt101)、mos管(q101)、第一二极管(d1)；
2.根据权利要求1所述的一种mos管输出端短路及过流保护电路，其特征在于，所述短路自锁定子电路(3)包括：第三半导体开关(vt103)、第四半导体开关(vt104)、第六降压或限流元件(106)、第八降压或限流元件(108)；
3.根据权利要求2所述的一种mos管输出端短路及过流保护电路，其特征在于，所述短路自锁定子电路(3)还包括：第二半导体开关(vt102)、第五降压或限流元件(105)、电容(c1)；所述第二半导体开关(vt102)的正极与直流电源正极(t101)正极连接、负极与四半导体开关(vt104)的负极连接，所述第五降压或限流元件(105)一端与信号...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴青龙，陆迪春，李生乾，
申请(专利权)人：深圳丹青新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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