芯片崩边缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质制造方法及图纸

技术编号:45060688 阅读:44 留言:0更新日期:2025-04-25 18:07
本发明专利技术实施例公开了一种芯片崩边缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质。方法包括:自初始图像中确定待测芯片的环形边缘区域;对环形边缘区域进行平滑处理以得到第一图像;对第一图像进行梯度计算以得到梯度图像;根据梯度图像中的各像素的梯度值确定初始图像中待测芯片的崩边缺陷区域。这种方案可以使崩边缺陷的检出率较高,缺陷检测结果较为准确,且缺陷检测效率较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种芯片崩边缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品。


技术介绍

1、在对半导体芯片的加工过程中,可能会由于对芯片施加的机械应力过高、封装工艺不当或者其他因素造成的物理损伤等原因,导致半导体芯片的边缘出现破损或断裂的现象。

2、相关技术中,通常采用人工方式对芯片的崩边缺陷进行检测,这种检测方式自动化水平低且精度有限,存在效率低下的问题。


技术实现思路

1、考虑到上述问题而提出了本专利技术。本专利技术提供了一种芯片崩边缺陷检测方法、装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品。这种方案可以使崩边缺陷的检出率较高,缺陷检测结果较为准确,且缺陷检测效率较高。

2、根据本专利技术一个方面,提供了一种芯片崩边缺陷检测方法。方法包括:自初始图像中确定待测芯片的环形边缘区域;对环形边缘区域进行平滑处理以得到第一图像;对第一图像进行梯度计算以得到梯度图像;根据梯度图像中的各像素的梯度值确定初始图像中待测芯片的崩边缺陷区域。

3、可选地,自本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片崩边缺陷检测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述自初始图像中确定待测芯片的环形边缘区域,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述初始图像获取所述待测芯片的掩膜图像,包括:

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述对所述环形边缘区域进行平滑处理以得到第一图像,包括:

5.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,在所述对所述环形边缘区域进行平滑处理以得到第一图像之前,所述方法还包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述对比度增强...

【技术特征摘要】

1.一种芯片崩边缺陷检测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述自初始图像中确定待测芯片的环形边缘区域,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述初始图像获取所述待测芯片的掩膜图像,包括:

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述对所述环形边缘区域进行平滑处理以得到第一图像,包括:

5.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,在所述对所述环形边缘区域进行平滑处理以得到第一图像之前,所述方法还包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述对比度增强操作包括对数变换处理操作。

7.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述梯度图像中的各像素的梯度值确定所述初始图像中所述待测芯片的崩边缺陷区域,包括:

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:高岩
申请(专利权)人:苏州镁伽科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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