【技术实现步骤摘要】
公开一般涉及电子电路和包括这些电子电路的设备，尤其是射频通信设备。
技术介绍
1、许多电子电路和设备，特别是射频通信设备，需要在耦合到匹配电路的偏置电路与天线之间的阻抗匹配电路。在某些情况下，例如在测试电路中，偏置电路耦合到天线。因此，必须修改阻抗匹配电路以限制信号损耗和成本。
技术实现思路
1、需要提供一种限制信号损耗和成本的宽带阻抗匹配电路。
2、一个实施例克服了已知电子电路的全部或部分缺点。
3、一个实施例提供了一种具有阻抗匹配电路的电子电路，包括：
4、将第一节点耦合到第二节点的第一电感；以及
5、将所述第二节点耦合到第三节点的第二电感，所述第三节点耦合到地电平；
6、第一和第二电感被配置为在彼此之间形成正的磁耦合。
7、根据实施例，第三节点经由电容元件耦合到地电平。
8、根据实施例，第一和第二电感由平面导电绕组形成。
9、根据实施例，第二节点旨在由测试设备偏置。
10、根据实施例，第三节点旨在由电子电路的电源偏置。
11、根据实施例，第一节点旨在耦合到放大器。
12、根据实施例，磁耦合大于0.5。
13、根据实施例，第一电感和第二电感被配置为使得电流可以在相同的方向上流过。
14、根据实施例，第一电感和第二电感被堆叠。
15、根据实施例，第二电感的绕组数大于第一电感的绕组数。
16、根据实施例，
17、根据实施例，与第二电感绝缘的一个或多个第二导电轨道布置在未被绕组覆盖的第二电感的中心部分与第二电感的绕组的内部区域之间。
18、根据实施例，与第一电感绝缘的一个或多个第三导电轨道完全或部分地围绕第一电感的绕组的外部区域。
19、根据实施例，与第一电感绝缘的一个或多个第四导电轨道布置在未被绕组覆盖的第一电感的绕组的中心部分与第一电感的绕组的内部区域之间。
20、根据实施例，电容元件的值被配置为限制电流回路的出现。
21、根据实施例，阻抗匹配电路包括耦合第一和第二节点的另一电容元件。
22、根据一个实施例，由第一电感生成的电磁场和由第二电感生成的电磁场在相同的方向上叠加。
23、实施例提供了一种电子装置，包括：
24、－如在上面描述的电子电路；以及
25、耦合到所述第一节点的放大器。
26、在一个实施例中，该设备还包括被配置为偏置第二节点的测试设备。
27、在一个实施例中，测试设备被配置为用偏置器(bias tee)偏置第二节点。
28、在一个实施例中，该设备还包括耦合到所述偏置器的天线。
29、在一个实施例中，放大器包括双极型晶体管，并且第一节点耦合到所述晶体管的集电极。
30、实施例提供了一种5g射频通信系统，其包括如上所述的电子设备。
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1.一种电子电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第三节点经由电容元件被耦合到地电平。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电感和所述第二电感由平面导电绕组形成。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二节点被配置为由测试设备偏置。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第三节点被配置为由所述电子电路的电源偏置。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一节点被配置为耦合到放大器。
7.根据权利要求1所述的电路，其中所述磁耦合大于0.5。
8.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电感和所述第二电感被配置为使得电流能够以相同的方向流过所述第一电感和所述第二电感。
9.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电感和所述第二电感被堆叠。
10.根据权利要求3所述的电路，其中所述第二电感的绕组的数目大于所述第一电感的绕组的数目。
11.根据权利要求3所述的电路，其中与所述第二电感绝缘的一个或多个第一导电轨道完全或部分地围绕所述第二电感的绕组的外部区
12.根据权利要求3所述的电路，其中与所述第二电感绝缘的一个或多个第二导电轨道被布置在所述第二电感的未被绕组覆盖的中心部分与所述第二电感的所述绕组的内部区域之间。
13.根据权利要求3所述的电路，其中与所述第一电感绝缘的一个或多个第三导电轨道完全或部分地围绕所述第一电感的所述绕组的外部区域。
14.根据权利要求3所述的电路，其中与所述第一电感绝缘的一个或多个第四导电轨道被布置在所述第一电感的所述绕组的未被绕组覆盖的中心部分与所述第一电感的所述绕组的内部区域之间。
15.根据权利要求2所述的电路，其中所述电容元件的值被配置为限制电流回路的出现。
16.根据权利要求1所述的电路，其中所述阻抗匹配电路包括耦合所述第一节点和所述第二节点的另一电容元件。
17.根据权利要求1所述的电路，其中由所述第一电感产生的电磁场和由所述第二电感产生的电磁场在相同方向上叠加。
18.一种电子设备，包括：
19.根据权利要求18所述的设备，还包括被配置为偏置所述第二节点的测试设备。
20.根据权利要求19所述的设备，其中所述测试设备被配置为利用偏置器来偏置所述第二节点。
21.根据权利要求20所述的设备，还包括耦合到所述偏置器的天线。
22.根据权利要求18所述的设备，其中所述放大器包括双极型晶体管，并且其中所述第一节点耦合到所述晶体管的集电极。
23.一种5G射频通信系统，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子电路，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第三节点经由电容元件被耦合到地电平。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电感和所述第二电感由平面导电绕组形成。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二节点被配置为由测试设备偏置。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第三节点被配置为由所述电子电路的电源偏置。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一节点被配置为耦合到放大器。
7.根据权利要求1所述的电路，其中所述磁耦合大于0.5。
8.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电感和所述第二电感被配置为使得电流能够以相同的方向流过所述第一电感和所述第二电感。
9.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电感和所述第二电感被堆叠。
10.根据权利要求3所述的电路，其中所述第二电感的绕组的数目大于所述第一电感的绕组的数目。
11.根据权利要求3所述的电路，其中与所述第二电感绝缘的一个或多个第一导电轨道完全或部分地围绕所述第二电感的绕组的外部区域。
12.根据权利要求3所述的电路，其中与所述第二电感绝缘的一个或多个第二导电轨道被布置在所述第二电感的未被绕组覆盖的中心部分与所述第二电感的所述绕组的...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·欧亚西亚，E·威尔海姆，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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