一种存储器数据延时保护电路制造技术

本技术公开了数据保护领域内的一种存储器数据延时保护电路，包括存储器U1，存储器U1的VCC端与比较电路相连，存储器U1的CE端与反向锁存电路相连，比较电路与反向锁存电路相连，反向锁存电路与积分延时电路相连。若恢复通电，则比较电路输出高电平，积分延时电路先输出低电平，从而使得反向锁存电路输出均输出高电平，这样继续阻止存储器U1进行读写操作，延时一段时间后，供电电压稳定了，则积分延时电路输出高电平，反向锁存电路输出低电平给存储器U1的CE端，存储器U1正常进行读写操作；在掉电开始和重新加电至电源电压稳定下来之前阻止存储器进行读写操作，使SRAM端口呈高阻态，达到数据保护的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及数据保护内的存储器数据延时保护电路。

技术介绍

1、大数据中心为公安系统的基层单位提供了强大的数据支撑能力，使得工作效率得到了提升。而在大数据中心的控制系统中，由于芯片内存容量十分有限，常常要进行数据存储器和程序存储器的扩展，无论是易失性存储器还是非易失性存储器，在断电时需要对计算机应用系统的数据进行保护，而且在重新加电后还需要确保系统的正确运行。但是，现有技术中，在重新加电时，由于电源在阶跃突变的瞬间，微信计算机此时可能使sram 处于读写状态，把数据总线上的一些随机数据读入sram，影响数据的准确性。

技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种存储器数据延时保护电路，在掉电开始和重新加电至电源电压稳定下来之前阻止存储器进行读写操作，使sram 端口呈高阻态，达到数据保护的目的。

2、为实现上述目的，本技术提供了一种存储器数据延时保护电路，包括存储器u1，存储器u1的vcc端与比较电路相连，存储器u1的ce端与反向锁存电路相连，比较电路与反向锁存电路相连，反向锁存电路与积分延时电路相连。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器数据延时保护电路，包括存储器U1，其特征在于：存储器U1的VCC端与比较电路相连，存储器U1的CE端与反向锁存电路相连，比较电路与反向锁存电路相连，反向锁存电路与积分延时电路相连。

2.根据权利要求1所述的一种存储器数据延时保护电路，其特征在于：比较电路包括比较器A1，比较器A1的2脚分别与二极管D2的正极和备用电源的正极相连，二极管D2的负极分别与二极管D1的负极以及存储器U1的CE端相连，二极管D1的正极分别与电阻R1的一端以及5V电源的正极相连，电阻R1的另一端与比较器A1的3脚相连，比较器A1的3脚分别与稳压二极管D3的负极以及比较器A2的3脚相连，稳压...

【技术特征摘要】

1.一种存储器数据延时保护电路，包括存储器u1，其特征在于：存储器u1的vcc端与比较电路相连，存储器u1的ce端与反向锁存电路相连，比较电路与反向锁存电路相连，反向锁存电路与积分延时电路相连。

2.根据权利要求1所述的一种存储器数据延时保护电路，其特征在于：比较电路包括比较器a1，比较器a1的2脚分别与二极管d2的正极和备用电源的正极相连，二极管d2的负极分别与二极管d1的负极以及存储器u1的ce端相连，二极管d1的正极分别与电阻r1的一端以及5v电源的正极相连，电阻r1的另一端与比较器a1的3脚相连，比较器a1的3脚分别与稳压二极管d3的负极以及比较器a2的3脚相连，稳压二极管d3的正极接地，比较器a1的1脚与发光二极管d4的负极相连，发光二极管d4的正极经电阻r2与5v电源的正极相连，比较器a2的2脚分别与电阻r4的一端以及电阻r3的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨楠，王优，
申请(专利权)人：扬州市公安局经济技术开发区分局，
类型：新型
国别省市：