用于超声换能器的辐射器层制造技术

在实例中，半导体裸片(106)包括：半导体衬底(506)，其具有表面(550)，所述表面具有第一表面部分和第二表面部分(564、567)；及辐射器层(206)，其位于所述表面上。所述辐射器层包括：金属部件(560)，其具有在所述第一表面部分上方的第一金属部件部分(563)及在所述第二表面部分上方的第二金属部件部分(566)，所述第一金属部件部分与所述第一表面部分之间存在第一距离，且所述第二金属部件部分与所述第二表面部分之间存在第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。所述辐射器层包含第一电极和第二电极(555、573)。所述辐射器层包含：压电层(554)，其沿着所述辐射器层的长度且在所述第一电极和所述第二电极中的每一个上延伸，所述压电层位于所述第一金属部件部分和所述第二金属部件部分与所述半导体衬底之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、声波适用于各种应用，包含工业和医疗应用。在许多此类应用中，换能器将电信号转换成声波，且将声波提供到目标介质(例如，提供到人体以观察器官，提供到半导体封装以确定结构完整性)。声波从目标介质中的特征反射且返回到换能器，所述换能器将声信号转换成电信号。电信号随后由诸如处理器或微控制器的适当电路系统处理，以产生那些特征的图像。

技术实现思路

1、在实例中，一种半导体裸片包括：半导体衬底，其具有表面，表面具有第一表面部分和第二表面部分；及辐射器层，其位于表面上。辐射器层包括：金属部件，其具有在第一表面部分上方的第一金属部件部分和在第二表面部分上方的第二金属部件部分，第一金属部件部分与第一表面部分之间存在第一距离，且第二金属部件部分与第二表面部分之间存在第二距离，第一距离小于第二距离。辐射器层包含第一电极和第二电极。辐射器层包含：压电层，其沿着辐射器层的长度且在第一电极和第二电极中的每一个上延伸，压电层位于第一金属部件部分和第二金属部件部分与半导体衬底之间。

【技术保护点】

1.一种半导体裸片，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述辐射器层被配置成发射频率在100MHz到300MHz(包含端点)范围内的声波。

3.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述声波为至少100MHz宽。

4.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述辐射器层被配置成响应于所述声波而膨胀和收缩。

5.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述金属部件包含第三金属部件部分，所述第二金属部件部分位于所述第一金属部件部分与所述第三金属部件部分之间，所述表面具有第三表面部分，所述第二表面部分位于所述第一表面部分与所述第三表面部分之间...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体裸片，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述辐射器层被配置成发射频率在100mhz到300mhz(包含端点)范围内的声波。

3.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述声波为至少100mhz宽。

4.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述辐射器层被配置成响应于所述声波而膨胀和收缩。

5.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述金属部件包含第三金属部件部分，所述第二金属部件部分位于所述第一金属部件部分与所述第三金属部件部分之间，所述表面具有第三表面部分，所述第二表面部分位于所述第一表面部分与所述第三表面部分之间，且所述第三金属部件部分与所述第三表面部分之间的第三距离小于所述第二距离。

6.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述第一电极和所述第二电极在其间具有第一间距，所述第一间距不同于所述第二电极与第三电极之间的第二间距，且所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极位于所述压电层的共同表面上。

7.一种电子装置，其包括：

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述第一距离与所述第二距离相差10％以内。

9.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述金属部件的长度在2微米到90微米(包含端点)的范围内。

10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：U·拉瓦特，B·巴赫尔，斯瓦米纳坦·桑卡兰，巴赫尔·S·哈龙，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：