【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子器件领域，更具体地，主要涉及一种掺杂二维半导体的方法及其应用。
技术介绍
0、技术背景
1、随着半导体技术的发展，二维半导体因其丰富的材料种类、可控的层厚以及优异的电学和光学特性，被广泛应用于电子器件、光电子器件、传感器等领域。尤其是在超薄、柔性电子器件和低功耗光电器件中，被认为有望延续甚至突破摩尔定律的限制。然而，二维半导体在这些应用中的实际应用关键取决于通过掺杂来精确控制其电学特性的能力。在二维半导体领域，掺杂面临重要的挑战，因为二维半导体只有单个原子层或几个原子层厚度，难以采用传统的离子注入技术掺杂。目前面向二维半导体的掺杂方法在控制掺杂区域、掺杂浓度和掺杂极性等方面存在局限性，阻碍了精确可控掺杂的实现。
2、针对二维半导体的掺杂问题，开发一种新型的工艺简单、可控掺杂区域、掺杂浓度以及掺杂极性的掺杂方法十分重要。
技术实现思路
1、本专利技术为了避免上述现有技术所存在的不足之处，提供了一种掺杂二维半导体的方法及其应用，该方法可以精确控制掺杂区...
【技术保护点】
1.一种掺杂二维半导体的方法，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种掺杂二维半导体的方法，其特征在于，所述制备图案化粘性聚合物层为：采用标准光刻技术在基片上光刻图案，将粘性聚合物倒模至光刻后的基片上，待固化后，形成图案化粘性聚合物层。
3.根据权利要求1-2任一所述的一种掺杂二维半导体的方法，其特征在于，所述图案化通孔有多个，且多个不相通。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种掺杂二维半导体的方法，其特征在于，所述转移包括剥离粘性聚合物。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种掺杂二维半导体的方法，其特征在于，所述粘性...
【技术特征摘要】
1.一种掺杂二维半导体的方法，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种掺杂二维半导体的方法，其特征在于，所述制备图案化粘性聚合物层为：采用标准光刻技术在基片上光刻图案，将粘性聚合物倒模至光刻后的基片上，待固化后，形成图案化粘性聚合物层。
3.根据权利要求1-2任一所述的一种掺杂二维半导体的方法，其特征在于，所述图案化通孔有多个，且多个不相...
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