【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及微电子装置的领域。更明确地说，但非排他地，本公开涉及微电子装置中的埋藏式沟槽电容器。
技术介绍
1、旁路电容器已结合例如开关模式电力转换器的微电子装置使用。在此类装置中，例如电磁干扰(emi)的电容器特性对性能至关重要。emi先前已通过将旁路电容器从独立芯片移动到与微电子装置相同的芯片中而得以改进。需要将电容器集成到微电子装置中的进一步改进。
技术实现思路
1、本公开引入一种微电子装置，其包含在所述微电子装置的顶部表面下方的埋藏式沟槽电容器。在一个实施例中，埋藏式沟槽电容器可形成在通过埋藏式沟槽电容器内衬电介质分离的氧化硅覆盖的埋藏式沟槽电容器多晶硅区与埋藏式沟槽电容器深井区之间。在第二实施例中，埋藏式沟槽电容器可由通过埋藏式沟槽内衬电介质分离的埋藏式沟槽电容器多晶硅区及硅外延区形成。经由深沟槽衬底接点穿过衬底制成深沟槽电容器的一个端子。经由井接点制成深沟槽电容器的第二端子，所述井接点在一个实施例中穿过深井区且在第二实施例中穿过多晶硅层连接到电容器。
【技术保护点】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述埋藏式沟槽电容器包括：
3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述埋藏式沟槽电容器进一步包括：
4.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包含在所述埋藏式沟槽电容器二氧化硅顶盖上的所述第二导电性类型的外延硅顶盖层。
5.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包含在所述第一外延层中的所述第一导电性类型的埋藏层。
6.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包含在所述第二外延层的表面处且至少部分地在所述埋藏式沟槽电容器阵列之上延伸的电
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述埋藏式沟槽电容器包括：
3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述埋藏式沟槽电容器进一步包括：
4.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包含在所述埋藏式沟槽电容器二氧化硅顶盖上的所述第二导电性类型的外延硅顶盖层。
5.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包含在所述第一外延层中的所述第一导电性类型的埋藏层。
6.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包含在所述第二外延层的表面处且至少部分地在所述埋藏式沟槽电容器阵列之上延伸的电组件。
7.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包含含有深沟槽内衬间隙的经集成深沟槽，所述经集成深沟槽提供第一埋藏式沟槽电容器端子与所述埋藏式沟槽电容器阵列的所述沟槽填充材料之间的电连接。
8.根据权利要求2所述的微电子装置，其进一步包含深沟槽n型深井，所述深沟槽n型深井提供第二埋藏式沟槽电容器端子与所述埋藏式沟槽电容器阵列的所述埋藏式电容器深井之间的电连接。
9.一种微电子装置，其包含埋藏式沟槽电容器，所述微电子装置包括：
10.根据权利要求9所述的微电子装置，其进一步包含至少部分地在所述埋藏式沟槽电容器单元阵列之上延伸的电组件。
11.根据权利要求9所述的微电子装置，其进一步包含含有深沟槽内衬间隙的经集成深沟槽，所述经集成深沟槽提供第一埋藏式沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：U·阿古尔拉姆，G·马瑟，R·奥彭，T·梅，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：
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