半导体光元件阵列制造技术

技术编号：45020487 阅读：4 留言：0更新日期：2025-04-18 17:03

在本公开中，提供一种半导体光元件阵列，其包含：半导体基板；掩膜层，其配置于上述半导体基板的主表面，具有开口部；纳米柱，其自上述半导体基板经由上述开口部沿厚度方向延伸，为III族氮化物半导体的柱状结晶；发光层，其配置于上述纳米柱的前端；以及覆盖半导体层，其覆盖上述发光层，含有半导体；且上述半导体光元件阵列具有包含多个上述纳米柱的像素，在上述像素中，自中心向外周，上述纳米柱的尺寸阶段性或连续性增加，或者阶段性或连续性减少。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种半导体光元件阵列。

技术介绍

1、近年来，氮化镓(gan)等iii族氮化物半导体作为对于发光二极管、激光二极管等发光元件而言有用的半导体材料而受到关注。发光元件介由使用有机金属化学气相沉积(mocvd:metal organic chemical vapor deposition)法、分子束磊晶(mbe:molecularbeam epitaxy)法等结晶生长技术，在基板上形成iii族氮化物半导体的层叠结构而制作。

2、例如在专利文献1中，公开如下半导体光元件阵列，其包含微细柱状结晶，该微细柱状结晶含有经由配置于掩码图案的开口部、自半导体基板生长的iii族氮化物半导体。该技术的目的之一在于高精度地控制形成于基板上的微细柱状结晶的位置及形状。

3、[现有技术文献]

4、[专利文献]

5、专利文献1:国际公开第2010/023921号

技术实现思路

1、[专利技术要解决的课题]

2、半导体光元件阵列例如使用于发光元件。基于谋求发光元件的高性能化之观点，期望半导体光元件阵列的光学特性的提高。本公开鉴于上述实际情况而完成，其主要目的在于提供一种具有良好的光学特性的半导体光元件阵列。

3、[用于解决技术课题的技术方案]

4、在本公开中，提供一种半导体光元件阵列，其包含：半导体基板；掩膜层，其配置于上述半导体基板的主表面，具有开口部；纳米柱，其自上述半导体基板经由上述开口部沿厚度方向延伸，为iii

5、专利技术效果

6、本公开的半导体光元件阵列发挥具有良好的光学特性这样的效果。

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【技术保护点】

1.一种半导体光元件阵列，包含：

2.如权利要求1所述的半导体光元件阵列，其中，

3.如权利要求1或2所述的半导体光元件阵列，其中，

4.如权利要求3所述的半导体光元件阵列，其中，

5.如权利要求1或2所述的半导体光元件阵列，其中，

6.如权利要求5所述的半导体光元件阵列，其中，

7.如权利要求1或2所述的半导体光元件阵列，其中，

8.如权利要求1或2所述的半导体光元件阵列，其中，

9.如权利要求1或2所述的半导体光元件阵列，其中，

10.如权利要求1或2所述的半导体光元件阵列，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体光元件阵列，包含：

2.如权利要求1所述的半导体光元件阵列，其中，

3.如权利要求1或2所述的半导体光元件阵列，其中，

4.如权利要求3所述的半导体光元件阵列，其中，

5.如权利要求1或2所述的半导体光元件阵列，其中，

6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：游佐智，岸野克巳，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：

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