基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理方法以及基板处理装置，在基板处理中，向被保持为水平状态的基板(9)的上表面(91)供给第一处理液，形成覆盖整个上表面(91)的第一处理液的液膜(81)。另外，对基板(9)进行加热，在上表面(91)上的第一处理液的液膜(81)与上表面(91)之间形成第一处理液的蒸气层(82)。然后，通过向基板(9)的上表面(91)供给第二处理液，从上表面(91)去除第一处理液的液膜(81)。由此，能够将随着蒸气层(82)的形成而进入第一处理液的液膜(81)的异物(89)从基板(9)的上表面(91)合适地去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理基板的技术。

技术介绍

1、以往，在半导体器件的制造中，使用利用各种各样的种类的处理液对半导体基板(下面，简称为“基板”)进行处理的基板处理装置。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给蚀刻液，对基板的表面进行蚀刻。向蚀刻后的基板供给冲洗液，去除基板上的蚀刻液。然后，通过使基板高速地旋转，进行基板的干燥。

2、另外，在日本特开2014-112652号公报(文献1)中，公开了一边抑制基板上的图案的倒塌一边使基板干燥的干燥处理。在该干燥处理中，将基板上的冲洗液置换为有机溶剂，然后，对基板进行加热，由此，在基板的上表面与有机溶剂的液膜之间形成有机溶剂的蒸气层。然后，喷射氮气而在液膜上形成孔，并使孔进一步扩大，由此，去除有机溶剂的液膜。在日本特开2016-136599号公报(文献2)中公开了如下方法：在上述干燥处理中使液膜的孔扩大时，增大氮气的流量，由此，良好地去除液膜。在日本特开2016-162847号公报(文献3)中公开了如下方法：在上述干燥处理中使液膜的孔扩大时，朝向基板的上表面喷射氮气，并且与基板的上表面平行且放射状地本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理方法，对基板进行处理，其中，

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

4.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

5.一种基板处理装置，对基板进行处理，其中，

【技术特征摘要】

1.一种基板处理方法，对基板进行处理，其中，

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥谷学，大须贺勤，东克荣，阿部博史，吉原直彦，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：