一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物X射线闪烁体薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物X射线闪烁体薄膜及其制备方法，涉及无机闪烁材料技术领域。所述X射线闪烁体薄膜的制备方法包括以下步骤：将溴化铯、溴化铈和水混合，得到前驱体溶液，将前驱体溶液干燥后得到前驱体粉末；将前驱体粉末进行退火得到稀土卤化物X射线闪烁体粉末；将稀土卤化物X射线闪烁体粉末蒸镀至基片材料表面，得到X射线闪烁体薄膜。本发明专利技术制备X射线闪烁体粉末的方法简单、不涉及长时间高温煅烧，有利于闪烁体粉末的大批量合成；本发明专利技术采用真空蒸镀进行制膜，全程无需使用有毒或难以回收处理的有机溶剂，最终产品具有自组织像素化结晶的晶体结构，还有面积大、纯净、平整和透明的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机闪烁材料，尤其涉及一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物x射线闪烁体薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、x射线是一种短波长(1pm～10nm)、高能量(124ev～1.24mev)的电磁波，在基础研究、深空探索、医疗影像和安全检查等关键领域至关重要。理想的x射线探测器需要具有以下的性能评价指标：快衰减的荧光寿命、高的空间分辨率和高光产额。此外，鉴于x射线光子主要呈献出粒子性特征，其难以调制的属性在实际探测应用中，还需充分考虑满足大面积探测器件的需求。现阶段，基于传统半导体材料制备的x射线探测器已得到了广泛的应用，例如yag:ce、lyso:ce、gos、csi:tl等。然而，随着服役环境的不断拓宽与探测需求的急剧增长，当前商用的闪烁体正面临难以满足日益严格性能挑战的困境。例如yag:ce和gos光产额较低、csi:tl和lyso:ce荧光寿命衰减过慢。更进一步的，针对高精电子器件无损检测所需的高空间分辨率难以达成、针对大体积成像物体所需的大面积器件也难以满足。

2、近年来，稀土卤化物材料由于具有丰富的能级跃迁而带来的光学性能可调、光产本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物X射线闪烁体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物X射线闪烁体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述溴化铯、溴化铈与水的质量体积比为5.746～7.022g：3.798g：15～25mL；

3.根据权利要求2所述的一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物X射线闪烁体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述退火的温度为150～300℃，退火的时间为10～60min。

4.根据权利要求3所述的一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物X射线闪烁体薄膜的制备方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物x射线闪烁体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物x射线闪烁体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述溴化铯、溴化铈与水的质量体积比为5.746～7.022g：3.798g：15～25ml；

3.根据权利要求2所述的一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物x射线闪烁体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述退火的温度为150～300℃，退火的时间为10～60min。

4.根据权利要求3所述的一种高分辨率、快衰减的稀土卤化物x射线闪烁体薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述蒸镀开始时环境的真空度为2×10-4～2×10-3pa。

5.根据权利要求1～4任意一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳志文，偰航，雷雨田，王倩，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：发明
国别省市：