【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装,尤其涉及一种可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法。
技术介绍
1、随着半导体行业的蓬勃发展,对电子器件的高集成度和高性能的需求日益增加,传统的二维封装技术因其物理空间限制,很难满足电子器件的进一步发展要求。三维集成与先进封装技术(3d-stacking and advanced packaging)由此被提出。这种技术通过引入垂直通孔结构来实现多层基板间的电气互连,极大地提高了器件的集成度和性能。玻璃通孔结构是具有大量孔洞的玻璃基板,这些孔通过玻璃基板提供垂直电连接,它们被称为玻璃通孔结构(tgv)。
2、为了提供贯穿玻璃的通孔(tgv),使用了激光诱导辅助蚀刻工艺。激光诱导辅助蚀刻工艺包括玻璃的激光照射。激光照射会改变玻璃的微观结构,并使照射区域更容易受到蚀刻化学的影响。激光照射后,通过开口进行湿蚀刻。这种激光诱导辅助蚀刻工艺通常适用于具有相对较低纵横比(例如,高:宽)的tgv制作。
3、然而,当前的玻璃通孔技术在实现超高深径比方面遇到了诸多瓶颈。首先,现有激光设备的功率不足以彻底改变玻璃
...【技术保护点】
1.可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,所述预处理包括将所述玻璃基板置于清洗溶液中进行超声清洗后干燥,所述清洗溶液包括去离子水、乙醇和丙酮。
3.根据权利要求1所述的可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,所述第一激光器和所述第二激光器各自独立地选自飞秒激光器或皮秒激光器。
4.根据权利要求3所述的可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,所述第一激光器为飞秒激光器,所述飞秒激光器的工作参数为:激光焦距为0.1mm~0.3mm,
...【技术特征摘要】
1.可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,所述预处理包括将所述玻璃基板置于清洗溶液中进行超声清洗后干燥,所述清洗溶液包括去离子水、乙醇和丙酮。
3.根据权利要求1所述的可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,所述第一激光器和所述第二激光器各自独立地选自飞秒激光器或皮秒激光器。
4.根据权利要求3所述的可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,所述第一激光器为飞秒激光器,所述飞秒激光器的工作参数为:激光焦距为0.1mm~0.3mm,激光照射功率为所述飞秒激光器最大功率的25%~55%,激光扫描速度为2mm/s~5mm/s,激光加工加速度为10mm/s3~50mm/s3。
5.根据权利要求3所述的可实现高纵横比的玻璃通孔的制作方法,其特征在于,所述第二激光器为飞秒激光器,所述飞秒激光器的工作参数为:激光焦距为3.6mm~3.9mm,激光照射功率为所述飞秒激光器最大功率的80%~100%,激光扫描速度为18mm/s~25mm/s,激光加工加速度为180mm/s3...
【专利技术属性】
技术研发人员:李勇,张继华,李文磊,蔡星周,陶志华,杨晓波,陈雷霆,林华娟,
申请(专利权)人:东莞市芯源集成电路科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:
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