抗蚀剂材料及图案形成方法技术

本发明专利技术涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明专利技术的课题是提供正型或负型皆高感度，且LWR及CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。本发明专利技术的解决手段是一种抗蚀剂材料，包含：双鎓盐，其含有具有与具有碘原子或溴原子的芳香族基团连接的芳基磺酸阴离子结构及与该具有碘原子或溴原子的芳香族基团经由碳数1以上的连接基团进行键结的磺酰亚胺阴离子结构或磺酰胺阴离子结构的2价阴离子、以及鎓阳离子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于抗蚀剂材料及图案形成方法。

技术介绍

1、伴随lsi的高集成化及高速化，图案规则的微细化急速进展。5g的高速通讯及人工智能(artificial intelligence，ai)的普及正进行中，而需要用于处理其的高性能器件。就最先进的微细化技术而言，波长13.5nm的极紫外线(euv)光刻所为的5nm节点的器件的量产正在进行。再者，次一代的3nm节点、次次一代的2nm节点器件中亦进行使用了euv光刻的探讨，比利时的imec已发表1nm及0.7nm的器件的开发。

2、随着微细化的进行，酸的扩散所致的像模糊成为了问题。为了确保加工尺寸45nm以下的微细图案中的分辨度，有人提出除了至今已提出的溶解对比度的提升以外，酸扩散的控制亦为重要的情况(非专利文献1)。然而，化学增幅抗蚀剂材料，由于借由酸的扩散会提升感度及对比度，若降低曝光后烘烤(peb)温度，或缩短时间而将酸扩散抑制至极限，则感度及对比度会显著下降。

3、euv抗蚀剂材料中，需要同时达成高感度化、高分辨度化及低lwr化。若缩短酸扩散距离，则线图案的线宽的粗糙度(lwr本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂材料，包含：

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，其中，该双鎓盐是下式(1)表示者，

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂材料，其中，Q-是下式(Q-1)～(Q-4)中的任意者表示的基团，

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，更包含基础聚合物。

5.根据权利要求4所述的抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物包含下式(a1)或(a2)表示的重复单元，

6.根据权利要求5所述的抗蚀剂材料，是化学增幅正型抗蚀剂材料。

7.根据权利要求4所述的抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物是不含酸不稳定基团者。

<p>8.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种抗蚀剂材料，包含：

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，其中，该双鎓盐是下式(1)表示者，

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂材料，其中，q-是下式(q-1)～(q-4)中的任意者表示的基团，

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，更包含基础聚合物。

5.根据权利要求4所述的抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物包含下式(a1)或(a2)表示的重复单元，

6.根据权利要求5所述的抗蚀剂材料，是化学增幅正型抗蚀剂材料。

7.根据权利要求4所述的抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物是不含酸不稳定基团者。

8.根据权利要求7所述的抗蚀剂材料，是化学增幅负型抗蚀剂材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山润，藤原敬之，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：