【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米3d打印，特别是涉及一种基于均匀大面积打印的纳米3d打印装置及方法。
技术介绍
1、法拉第3d打印作为一种新型的金属纳米3d打印技术，通过流场运输带电纳米粒子进入电场空间，然后通过电场和流场耦合控制带电纳米粒子的运动，使其迁移至特定位置组装形成纳米3d结构，这项技术的打印特征尺寸小，可打印材料种类多以及能够一次性阵列打印成千上万的纳米结构，有望在芯片制造和微电子领域大放光彩。但是其在大面积打印下的不均匀性限制了生产应用，在打印面积超出0.1cm2时即展现出极不均匀性，这主要受限于打印中流场和电场对带电粒子浓度的以下影响：
2、1、带电粒子沿流场运动过程中，在运输管道中会形成不均匀分布，从而导致在大面积基底上方分布不均。
3、2、在电场作用下，大量带电纳米粒子在上游即被电场捕获进行打印，使得在上下游方向上形成浓度的差异。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种基于均匀大面积打印的纳米3d打印装置及方法，用于解决现有...
【技术保护点】
1.一种基于均匀大面积打印的纳米3D打印装置，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1中所述的基于均匀大面积打印的纳米3D打印装置，其特征在于，所述带电纳米粒子源为多个，每个带电纳米粒子源分别对应一种带电纳米颗粒材料。
3.根据权利要求2中所述的基于均匀大面积打印的纳米3D打印装置，其特征在于，各带电纳米粒子源采用的带电纳米颗粒材料不同。
4.根据权利要求3中所述的基于均匀大面积打印的纳米3D打印装置，其特征在于，通过将基底和打印出口进行相对移动以及对各带电纳米粒子源进行控制，以供在基底的不同位置或相同位置打印不同材料组成的纳
【技术特征摘要】
1.一种基于均匀大面积打印的纳米3d打印装置，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1中所述的基于均匀大面积打印的纳米3d打印装置，其特征在于，所述带电纳米粒子源为多个，每个带电纳米粒子源分别对应一种带电纳米颗粒材料。
3.根据权利要求2中所述的基于均匀大面积打印的纳米3d打印装置，其特征在于，各带电纳米粒子源采用的带电纳米颗粒材料不同。
4.根据权利要求3中所述的基于均匀大面积打印的纳米3d打印装置，其特征在于，通过将基底和打印出口进行相对移动以及对各带电纳米粒子源进行控制，以供在基底的不同位置或相同位置打印不同材料组成的纳米结构。
5.根据权利要求4中所述的基于均匀大面积打印的纳米3d打印装置，其特征在于，当打印出口分别移动到基底上方不同位置时，在每个位置对各带电纳米粒子源进行与其他位置不同的开关以及浓度控制，以使在基底不同位置打印不同材料组成的纳米结构。
6.根据权利要求4中所述的基于均匀大面积打印的...
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