【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电信号,尤其涉及一种探测装置。
技术介绍
1、本部分旨在为本申请的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
2、硅光电倍增器(silicon photomultiplier,sipm),硅光电倍增器是一种新兴的光电探测器件,可以低压供电并制作大面积探测器阵列。sipm由数百或数千个自猝灭的单光子雪崩光电二极管(single photon avalanche photodiode,sapd)组成,也称为像素或微单元。当光子入射到光电二极管上时,会产生电子-空穴对,由于光电二极管内p-n结的电场分布,电子和空穴会被加速和分离,形成电流,该电流被称为暗电流,它与光子的能量和入射光强成正比。
3、相关技术中,光线通过光纤引导至硅光电倍增器,光纤与硅光电倍增器的耦合效果不佳,影响探测效率。
技术实现思路
1、有鉴于此,本申请实施例期望提供一种探测装置,能够提高探测装置的探测效率。
2、本申请实施例提供一种探测装置,包括
3、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种探测装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的探测装置,其特征在于,所述探测装置包括塑料闪烁体,所述光纤远离所述光电倍增器的一端与所述塑料闪烁体连接。
3.根据权利要求2所述的探测装置,其特征在于,所述光纤远离所述光电倍增器的一端嵌入所述塑料闪烁体内。
4.根据权利要求1所述的探测装置,其特征在于,所述探测装置包括保护套,所述保护套包括套设于所述光纤外部的第一套体,所述第一套体位于所述限位腔内,所述第一套体与所述限位板两者沿轴向相对的侧面抵接。
5.根据权利要求4所述的探测装置,其特征在于,所述保护套包括
...【技术特征摘要】
1.一种探测装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的探测装置,其特征在于,所述探测装置包括塑料闪烁体,所述光纤远离所述光电倍增器的一端与所述塑料闪烁体连接。
3.根据权利要求2所述的探测装置,其特征在于,所述光纤远离所述光电倍增器的一端嵌入所述塑料闪烁体内。
4.根据权利要求1所述的探测装置,其特征在于,所述探测装置包括保护套,所述保护套包括套设于所述光纤外部的第一套体,所述第一套体位于所述限位腔内,所述第一套体与所述限位板两者沿轴向相对的侧面抵接。
5.根据权利要求4所述的探测装置,其特征在于,所述保护套包括套设于所述光纤外部的第二套体,所述第二套体从所述第一套体朝第一侧延伸至所述限位腔的外部。
6.根据权利要求1所述的探测装置,其特征在于,以垂直于轴向的平面为投影面,所述限位腔的投影位于所述容纳腔的投影范围内。
7.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐晨阳,李雨芃,汤秀章,
申请(专利权)人:中国原子能科学研究院,
类型:发明
国别省市:
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