【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成半导体领域，尤其涉及一种堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管(stacked transistor)通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、相关技术中，通过晶圆翻转分别制备堆叠晶体管的顶部晶体管与底部晶体管的源漏接触金属与金属互连层。但是，晶圆翻转同时带来了顶部晶体管与底部晶体管的源漏接触金属无法对准的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，可以实现顶部晶体管与底部晶体管的自对准接触。
2、第一方面，本申请实施例提供一种堆叠晶体管的制备方法，该方法包括：在衬底上形成半导体结构，半导体结构至少包括依次堆叠的牺牲层、第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀源漏区域的半导体结构，并在源漏区域的牺牲层对应的区域内填充绝缘材料，以形成占位结构...
【技术保护点】
1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述占位结构，以形成所述第一晶体管的第一源漏接触金属，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述暴露所述占位结构，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述第一源漏接触金属之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在刻蚀源漏区域内的第一半导体结构之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述基于所述栅极区域内的半导体结构，形...
【技术特征摘要】
1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述占位结构，以形成所述第一晶体管的第一源漏接触金属，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述暴露所述占位结构，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述第一源漏接触金属之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在刻蚀源漏区域内的第一半导体结构之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述基于所述栅极区域内的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，彭莞越，蒋婧儒，许晓燕，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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