一种单晶生长方法、全无机钙钛矿电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及钙钛矿电池原料制备技术领域，具体为一种单晶生长方法、全无机钙钛矿电池及其制备方法。单晶生长方法包括：将卤化甲胺和卤化铅溶解于溶剂后，仅进行恒温加热，得到甲基铵铅卤化物单晶。本发明专利技术通过控制前驱体溶质的组分和温度生长出甲基铵铅卤化物单晶，并将其应用于全无机钙钛矿太阳能电池的制备过程，由于单晶具有的独特结构稳定性和Cl<supgt;‑</supgt;离子调节薄膜结晶性的特点，最终制备出的全无机钙钛矿电池湿度稳定性强，电池性能优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钙钛矿电池原料制备，具体为一种单晶生长方法、全无机钙钛矿电池及其制备方法。

技术介绍

1、钙钛矿材料具有制备简单和成本低廉等特点，以及其独特的光电特性吸引诸多研究者广泛关注。钙钛矿单晶指的是由钙钛矿结构单元构成的晶体材料，具有对称性好、晶体稳定性强、电学和光学性能优异等特点，在光电探测器以及发光二极管等领域具有广泛的应用潜力。

2、钙钛矿单晶可采用廉价的溶液方法轻松获得，目前，有以下两种合成方法来生长晶体：一是降低溶液温度，致使晶体低温析出方法，另一个是反向升温结晶法。这两种方法生长的钙钛矿单晶存在晶体缺陷，而且制备方法复杂，无论是降温还是升温法制备单晶，都需要及时观察晶体析出情况，再根据大小来调节温度使其继续生长成为大尺寸单晶。此外，全无机钙钛矿太阳能电池的湿度稳定性较差，在相对湿度大于30％条件下，薄膜黑色相会在短时间内迅速分解，这不利于钙钛矿电池的长期稳定性。

技术实现思路

1、本专利技术为了解决现有技术中存在的缺陷，提供一种单晶生长方法、全无机钙钛矿电池及其制备方法。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶生长方法，其特征在于，包括：将卤化甲胺和卤化铅溶解于溶剂后，仅进行恒温加热，得到甲基铵铅卤化物单晶。

2.根据权利要求1所述的单晶生长方法，其特征在于，所述卤化甲胺选自MAI、MACl、MABr中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的单晶生长方法，其特征在于，所述卤化铅选自PbI2、PbCl2、PbBr2中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的单晶生长方法，其特征在于，所述甲基铵铅卤化物单晶选自MAPbCl3单晶、MAPbI3单晶、MAPbBr3单晶中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的单晶生长方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种单晶生长方法，其特征在于，包括：将卤化甲胺和卤化铅溶解于溶剂后，仅进行恒温加热，得到甲基铵铅卤化物单晶。

2.根据权利要求1所述的单晶生长方法，其特征在于，所述卤化甲胺选自mai、macl、mabr中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的单晶生长方法，其特征在于，所述卤化铅选自pbi2、pbcl2、pbbr2中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的单晶生长方法，其特征在于，所述甲基铵铅卤化物单晶选自mapbcl3单晶、mapbi3单晶、mapbbr3单晶中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的单晶生长方法，其特征在于，所述卤化甲胺和卤化铅的摩尔比为1:(1～3)。

6.根据权利要求1～4任...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文华，马思敏，徐浪，王若浩，赵荣梅，赖妞，
申请(专利权)人：云南大学，
类型：发明
国别省市：