【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及石墨烯材料领域，具体涉及石墨烯薄膜材料的表面清洁方法。
技术介绍
1、石墨烯是一种由单层碳原子构成的六方点阵蜂窝状的二维原子晶体，它拥有其他材料难以媲美的光、电、磁、力、热等性质和广阔的应用前景。化学气相沉积(cvd)方法是制备高质量石墨烯薄膜最常用的技术手段，然而在高温合成石墨烯的过程中会形成无定形碳副产物，造成本征污染。此外，将cvd生长的石墨烯薄膜转移至所需衬底的过程中也会存在高聚物污染。这些污染物的存在会使石墨烯的透光率降低、狄拉克点偏移、迁移率降低、面电阻和接触电阻增大，亲疏水性改变，严重制约石墨烯优异性能的发挥和后续的器件应用。
2、现有清洁石墨烯表面的方法存在如下缺点：1)操作复杂繁琐，清洁时间长；2)对石墨烯晶格结构造成一定损伤；3)无法实现微区的定点清洁，清洁效果不佳；以及4)难以清除不同类型的污染物，普适度低。
3、因此，有效清除cvd制备以及转移过程中石墨烯薄膜表面各类污染物且不损伤石墨烯晶格结构是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种清洁石墨烯表面的方法，其特征在于，采用电子束辐照清洁石墨烯表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子束辐照的条件为：辐照电压不高于83kV、电子束流剂量为5～20nA。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子束辐照在透射电子显微镜中进行。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电子束辐照的处理时间为5～2000s，放大倍率为100～300kx。
【技术特征摘要】
1.一种清洁石墨烯表面的方法，其特征在于，采用电子束辐照清洁石墨烯表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子束辐照的条件为：辐照电压不高于83kv、电子束流剂量为5～20na。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠范，张金灿，夏凡，贾开诚，林立，陈雨，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，
类型：发明
国别省市：
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