紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线制造技术

本发明专利技术涉及微带天线技术领域，尤其涉及一种紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线，包括主贴片单元、1/4波长阻抗变换线、馈电传输线、介质基板、金属接地板、金属地墙和金属条带，两个主贴片单元位于介质基板上表面且间距2.58mm，本发明专利技术通过在E面排列的两贴片单元之间放置一个蚀刻了弯折缝隙的金属条带，天线的能量通过近场耦合到金属条带上并激励缝隙，形成缝隙辐射的能量与天线辐射的能量相结合，调控了倾斜的方向图，实现了靠近缝隙天线单元的边射，同时在金属条带下方的金属地墙则起到了延长地面电流路径达到去耦的效果，本发明专利技术既实现两个沿E面紧密排列的贴片单元间隔离度的提高，又实现了单侧辐射方向图的可调控，适用于未来的小型MIMO天线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微带天线，尤其涉及一种紧间距e面方向图可调控的mimo微带天线。

技术介绍

1、小型化多天线结构的发展需求，使得缩小天线单元间距紧凑型排布结构成为了目前的一个研究焦点，但是相应的间距缩小会造成单元间的强耦合，进而影响到天线的辐射性能。然而，现阶段的去耦合技术通常伴随着天线方向图的倾斜，这种普遍现象制约着天线边射方向的定向辐射，降低了紧凑型天线结构使用的灵活性。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种紧间距e面方向图可调控的mimo微带天线，旨在实现去耦的前提下使单边已倾斜的辐射方向图可调控到边射方向，并保持另一天线的倾斜辐射特征。

2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种紧间距e面方向图可调控的mimo微带天线，包括主贴片单元、1/4波长阻抗变换线、馈电传输线、介质基板、金属接地板、金属地墙和金属条带，两个所述主贴片单元位于所述介质基板上表面且间距2.58mm，每个所述主贴片单元的一侧分别连接有一条1/4波长阻抗变换线，所述1/4波长阻抗变换线的外侧与所述馈电传输线连接，两条本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线，其特征在于，

2.如权利要求1所述的紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线，其特征在于，

3.如权利要求2所述的紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线，其特征在于，

4.如权利要求3所述的紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线，其特征在于，

5.如权利要求4所述的紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线，其特征在于，

6.如权利要求5所述的紧间距E面方向图可调控的MIMO微带天线，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种紧间距e面方向图可调控的mimo微带天线，其特征在于，

2.如权利要求1所述的紧间距e面方向图可调控的mimo微带天线，其特征在于，

3.如权利要求2所述的紧间距e面方向图可调控的mimo微带天线，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：陆路聪，蔺君尧，兰盾，王宜颖，于新华，莫锦军，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：