【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高纯金属的制粒装置,特别是涉及一种高精度制粒装置。
技术介绍
1、在半导体行业或某些特定行业中,对原料的粒径有严格要求;现有制粒技术多采用熔料后自重滴落成粒并筛分的方式,然而,对于粒径较小(如1mm以下)的要求,现有制粒装置难以达到,筛选后的成品率极低,往往需要反复进行二次制粒和筛选,这不仅增加了成本,还降低了制粒纯度。
2、目前,公开号为cn104307435b的中国专利技术,公开了制粒机,包括对应布置的熔化料装置、滴料机构、转动成粒接料盘、刮料机构和集粒装置,刮料机构包括其刮头,转动成粒接料盘包括盘体和与盘体连接的转轴,刮头和盘体置于可密闭的制粒仓内,熔化料装置和滴料机构也布置于制粒仓内,盘体的内部具有与导热流体介质循环装置连通的导流腔,转动成粒接料盘可上下微调,滴料机构的滴嘴、刮头相对于转动成粒接料盘的中心距及间距可微调。
3、现有的制粒机的制粒原理也是化料后依靠自重滴落成形,虽可通过滴料机构的间距调整粒径,但无法精确控制粒径,粒径分布宽泛,进而导致制粒成品率低。
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【技术保护点】
1.一种高精度制粒装置,其特征在于:包括化料缸(1),所述化料缸(1)盛装待制粒物料(11);
2.根据权利要求1所述的一种高精度制粒装置,其特征在于:所述化料缸(1)外侧设置有化料加热器(12),所述化料加热器(12)的加热温度为50℃-300℃。
3.根据权利要求1所述的一种高精度制粒装置,其特征在于:所述滴料管(31)外侧固定设置有滴管加热器(33),所述滴管加热器(33)的加热温度为80℃-300℃。
4.根据权利要求1所述的一种高精度制粒装置,其特征在于:所述滴吹管(32)通过高频脉冲电磁阀供应纯氩气,所述滴吹管(32)吹
...【技术特征摘要】
1.一种高精度制粒装置,其特征在于:包括化料缸(1),所述化料缸(1)盛装待制粒物料(11);
2.根据权利要求1所述的一种高精度制粒装置,其特征在于:所述化料缸(1)外侧设置有化料加热器(12),所述化料加热器(12)的加热温度为50℃-300℃。
3.根据权利要求1所述的一种高精度制粒装置,其特征在于:所述滴料管(31)外侧固定设置有滴管加热器(33),所述滴管加热器(33)的加热温度为80℃-300℃。
4.根据权利要求1所述的一种高精度制粒装置,其特征在于:所述滴吹管(32)通过高频脉冲电磁阀供应纯氩气,所述滴吹管(32)吹出的纯氩气的温度为25℃-350℃。
5.根据权利要求1所述的一种高精度制粒装置,其特征在于:所述滴吹管(32)与滴料管(31)之间的夹角为15°-30°,所述滴吹管(32)的吹气口与滴料管(31)的出口之间的距离为2mm-10mm。
6.根据权利要求1所述的一种高精度制粒装置,其特征在于:所述接料坩埚(2)包括接料桶(23)、外桶(24)以及冷媒液(25),所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张平建,唐杰,
申请(专利权)人:四川中科智能装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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