【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、在一些制备堆叠晶体管(stacked transistor)的方案中，通过刻蚀形成上下两层同源晶体管的有源区，并通过倒片实现在晶圆的正反面制作堆叠晶体管。这也可以称之为“自对准倒装晶体管”方案。然而，“自对准倒装晶体管”的正反面结构具有镜像对称关系，致使在基于“自对准倒装晶体管”形成去耦电容(decap cell)的过程中，晶体管内部走线复杂，制备难度极大，且不利于集成电路的尺寸微缩。
技术实现思路
1、本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件，以实现利用上下两层同源晶体管的交错设计，使得利用第一金属互连通孔和第二金属互连通孔就可以实现去耦电容内部的互连线，从而有效降...
【技术保护点】
1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第二部分，形成至少一个第二晶体管，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第二部分，在所述第二源极结构和所述第二漏极结构之间，形成所述第二栅极结构和第二单扩散隔离结构，包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第二部分，形成沿第二方向依次交替排布所述第二源极结构和所述第二漏极结构，包括：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一部分，形成至少一...
【技术特征摘要】
1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第二部分，形成至少一个第二晶体管，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第二部分，在所述第二源极结构和所述第二漏极结构之间，形成所述第二栅极结构和第二单扩散隔离结构，包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第二部分，形成沿第二方向依次交替排布所述第二源极结构和所述第二漏极结构，包括：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一部分，形成至少一个第一晶体管，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，郭睿，卢浩然，张立宁，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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