混合降压转换器及其操作方法技术

提供了一种混合降压转换器，包括：第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，将电源电压节点与第一开关节点电连接；第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，将接地节点与第一开关节点电连接；电感器，将第一开关节点与第二开关节点电连接；第三NMOS晶体管，将第二开关节点与第一输出节点电连接；第三PMOS晶体管，将第二开关节点与第二输出节点电连接；分流调节器，基于第二输出节点的第二输出电压被驱动；第一PWM控制器，基于第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的脉冲宽度控制来调节电感电流的大小；以及第二PWM控制器，基于第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管的脉冲宽度控制来调节第二输出电压的大小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思的实施例涉及混合降压转换器，并且更具体地，涉及用于高速瞬态响应和高动态效率的混合降压转换器及其操作方法。

技术介绍

1、人工智能和机器学习等高性能并行处理技术已经变得很普遍，并且正在扩展到图像和语音识别以外的各个领域。由于必须高速处理大量数据的特性，需要使用进行高性能计算的处理器，并且要克服的技术需求也不断涌现。例如，处理器进行高性能计算所需的功率量不断增加。与不断增加的功率需求成比例地，可能产生高热设计功率和高热耗成本，并且可能消耗许多资源进行散热。

2、在高性能计算处理器中可以使用动态电压缩放技术，其中功率根据处理吞吐量而变化以有效控制功率利用率，并且为了实现更高的效率，可能需要提高动态电压缩放的跟踪速度。已经提出了一种混合降压转换器，该转换器添加了与降压转换器并联的分流调节器，以提高动态电压缩放的跟踪速度。

3、然而，与具有100％理想功率转换效率的降压转换器相比，由于分流调节器的频繁操作导致功率损耗，所提出的混合降压转换器的效率呈指数下降。因此，在支持动态电压缩放的混合降压转换器中，可能有必要减少这种效率降低。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种混合降压转换器，包括：

2.根据权利要求1所述的混合降压转换器，其中，所述分流调节器包括：

3.根据权利要求2所述的混合降压转换器，其中，所述第一PWM控制器被配置为调节所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管之间的脉冲宽度比，使得所述电感电流变为等于所述分流电流的N倍，其中，N是自然数。

4.根据权利要求3所述的混合降压转换器，其中，所述第一PWM控制器被配置为：当所述电感电流大于所述分流电流的N倍时，增大所述第一PMOS晶体管的占空比；并且当所述电感电流小于所述分流电流的N倍时，减小所述第一PMOS晶体管的占空比，并且

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【技术特征摘要】

1.一种混合降压转换器，包括：

2.根据权利要求1所述的混合降压转换器，其中，所述分流调节器包括：

3.根据权利要求2所述的混合降压转换器，其中，所述第一pwm控制器被配置为调节所述第一pmos晶体管和所述第一nmos晶体管之间的脉冲宽度比，使得所述电感电流变为等于所述分流电流的n倍，其中，n是自然数。

4.根据权利要求3所述的混合降压转换器，其中，所述第一pwm控制器被配置为：当所述电感电流大于所述分流电流的n倍时，增大所述第一pmos晶体管的占空比；并且当所述电感电流小于所述分流电流的n倍时，减小所述第一pmos晶体管的占空比，并且

5.根据权利要求2所述的混合降压转换器，其中，所述第一参考电压基于动态电压缩放而变化。

6.根据权利要求1所述的混合降压转换器，其中，所述第二pwm控制器被配置为基于将所述第二输出电压与第二参考电压进行比较的结果，调节所述第三pmos晶体管和所述第三nmos晶体管之间的脉冲宽度比，使得所述第二输出电压变为等于所述第二参考电压。

7.根据权利要求6所述的混合降压转换器，其中，所述第二pwm控制器被配置为：当所述第二输出电压超过所述第二参考电压时，减小所述第三pmos晶体管的占空比；并且当所述第二输出电压小于所述第二参考电压时，增大所述第三pmos晶体管的占空比，并且

8.根据权利要求6所述的混合降压转换器，其中，所述第二参考电压基于动态...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋斗真，金贤植，梁埈赫，庾成敏，裴洪铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：