【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及存储器件以及包括该存储器件的存储系统。
技术介绍
1、由于较差的热管理性能，随着半导体工艺的增加和芯片尺寸的减小，电力输入/输出的性能特性可能会恶化。
2、同样，随着对以数据为中心的计算的重视，需要大容量的存储器；然而，由于将大容量存储器集成在单个芯片中存在物理限制，因此正在开发通过使用小芯片结构等耦接多个存储器芯片的方法。
3、另外，由于小芯片之间的接口与主要在存储器芯片之间使用的接口不同，因此将逻辑芯片和存储器芯片耦接在一起可能存在困难。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的实施例，一种存储器件包括：第一核心管芯和第二核心管芯，包括多个存储单元并且沿第一方向堆叠；以及缓冲器管芯，沿所述第一方向与所述第一核心管芯和所述第二核心管芯堆叠，并且包括第一物理层和第二物理层，其中，所述缓冲器管芯被配置为通过所述第一物理层输出所述多个存储单元的数据，其中，通过沿所述第一方向穿过所述第一核心管芯和所述第二核心管芯的通孔来从所述第一核心管芯和所述第二核心管芯...
【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，
4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，
6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，
7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，
10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，p>
12.根据...
【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，
4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，
6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，
7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，
10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李旻佑，曹丙坤，金德成，全俊镐，黄斗熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。