System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
:本专利技术涉及植物组织培养,具体涉及一种锦绣苋组织培养繁育方法。
技术介绍
0、
技术介绍
:
1、锦绣苋原产巴西(alternanthera bettzickiana(regel)nichols.),为苋科多年生草本,性喜高温,最适宜在22-32℃之间的条件下生长。锦绣苋也称五色草,其植株多低矮,株形整齐枝叶繁茂,耐修剪,分枝性强,颜色丰富,对比性强,可以不同色彩配制成各种花纹、图案、文字等平面或立体的形象,最适合在绿化景点进行装饰造景组字、组合花坛,是布置毛毡花坛的良好材料,锦绣苋的盆栽适合阳台、窗台和花槽观赏。锦绣苋也可供食用,能直接炒食或涮着吃,同时还具有药用作用,其全株具有清热解毒、凉血止血、消积逐瘀,清肝明目的作用,并可治结膜炎便血,痢疾等症状。锦绣苋还是一种耐盐植物,可在岛礁上生存。有关锦绣苋生物繁育技术特别是有关其组织培养技术至今缺乏具体的研究报道。
技术实现思路
0、
技术实现思路
:
1、针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种锦绣苋组织培养繁育方法,为锦绣苋的快速繁殖、规模化种植打下基础。
2、本专利技术是通过以下技术方案予以实现的:
3、一种锦绣苋组织培养繁育方法,包括以下步骤:以锦绣苋茎段为外植体,经消毒后接种至诱导培养基中进行诱导培养获得腋芽,将腋芽伸长培养后置于增殖培养基中进行增殖培养获得增殖芽,将增殖芽转入根诱导培养基上进行生根培养,获得组培苗,炼苗后移栽至基质。
4、优选,所述锦绣苋茎段带芽点,
5、优选,所述消毒步骤为:将茎段用洗洁精浸泡30min,流水冲洗干净,并吸干表面水分,在超净工作台上放入75%酒精中消毒30s,无菌水漂洗3次,用0.1wt%升汞浸泡消毒5min,无菌水漂洗5次,于已灭菌滤纸上吸干表面水分。
6、优选,所述诱导培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的ms培养基+0.5mg/l ba+0.1mg/lnaa,ph5.8;所述诱导培养条件为:培养瓶直径为8cm,高10cm,26±2℃培养室由两盏冷白色荧光灯,在12小时的光周期中提供80μmol m-2s-1的光照密度。
7、优选,所述诱导培养时间为30天。
8、优选,将腋芽伸长培养后切成1cm左右带一对叶片的小段,接种于增殖培养基进行增殖培养。
9、优选,所述增殖培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的ms培养基+0.5-2.0mg/lba,ph5.8;所述增殖培养条件为:培养瓶直径为8cm,高10cm,26±2℃培养室由两盏冷白色荧光灯,在12小时的光周期中提供80μmol m-2s-1的光照密度。
10、进一步优选,所述增殖培养基中将ba和其它植物生长调节剂联用,植物生长调节剂组和为:1.0mg/lba+0.1-1.0mg/lnaa;或,1.0mg/lba+0.1-1.0mg/l iba;或,1.0mg/lba+0.1-1.0mg/l iaa。
11、优选,所述增殖培养时间为30天。
12、优选,所述根诱导培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的ms培养基+0.1-1.0mg/lnaa或0.1-1.0mg/l iba或0.1-1.0mg/l iaa,ph5.8;所述生根培养条件为:温度为26±2℃,培养室由两盏冷白色荧光灯,在12小时的光周期中提供80μmol m-2s-1的光照密度。
13、优选,所述生根培养时间为15-30天。
14、优选,炼苗过程为:取长势良好的锦绣苋组培苗,约5cm高,打开培养瓶瓶盖,炼苗3-7d,使幼苗初步适应外界的环境。
15、优选,所述基质由蛭石与沙组成(体积比1:1)。
16、有益效果:
17、本专利技术成功建立了锦绣苋组织培养繁育方法,在ms培养基附加1.0mg/ba+0.1mg/lnaa作为增殖培养基培养30d后芽繁育系数最高可达7.2,在ms培养基附加0.1-1.0mg/liba或naa或iaa作为根诱导培养基培养30天,生根率均可达100%,将幼苗移栽至由蛭石与沙组成的基质中,成活率也高达100%。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种锦绣苋组织培养繁育方法,其特征在于,包括以下步骤:以锦绣苋茎段为外植体,经消毒后接种至诱导培养基中进行诱导培养获得腋芽,将腋芽伸长培养后置于增殖培养基中进行增殖培养获得增殖芽,将增殖芽转入根诱导培养基上进行生根培养,获得组培苗,炼苗后移栽至基质。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述诱导培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的MS培养基+0.5mg/L BA+0.1mg/LNAA,pH5.8;所述增殖培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的MS培养基+0.5-2.0mg/L BA,pH5.8;所述根诱导培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的MS培养基+0.1-1.0mg/LNAA或0.1-1.0mg/L IBA或0.1-1.0mg/L IAA,pH5.8;所述诱导培养或增殖培养或生根培养的条件为:26±2℃,在12小时的光周期中提供80μmolm-2s-1的光照密度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述增殖培养基中,BA和其它植物生长调节剂联用,联用组合为:1.0mg/LBA+0.1-1.0mg/LNAA;或,1
4.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述锦绣苋茎段带芽点,长度1cm。
5.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述消毒步骤为:将茎段洗洁精浸泡30min,流水冲洗并吸干表面水分,在超净工作台上放入75%酒精中消毒30s,无菌水漂洗3次,用0.1wt%升汞浸泡消毒5min,无菌水漂洗5次,于已灭菌滤纸上吸干表面水分。
6.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,将腋芽伸长培养后切成带一对叶片的1cm小段,接种于增殖培养基进行增殖培养。
7.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述炼苗过程为:打开培养瓶瓶盖,取长势良好的5cm高锦绣苋组培苗,炼苗3-7d,使组培苗初步适应外界的环境。
8.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述基质为蛭石与沙以体积比1:1混合而成。
...【技术特征摘要】
1.一种锦绣苋组织培养繁育方法,其特征在于,包括以下步骤:以锦绣苋茎段为外植体,经消毒后接种至诱导培养基中进行诱导培养获得腋芽,将腋芽伸长培养后置于增殖培养基中进行增殖培养获得增殖芽,将增殖芽转入根诱导培养基上进行生根培养,获得组培苗,炼苗后移栽至基质。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述诱导培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的ms培养基+0.5mg/l ba+0.1mg/lnaa,ph5.8;所述增殖培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的ms培养基+0.5-2.0mg/l ba,ph5.8;所述根诱导培养基为:含3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂的ms培养基+0.1-1.0mg/lnaa或0.1-1.0mg/l iba或0.1-1.0mg/l iaa,ph5.8;所述诱导培养或增殖培养或生根培养的条件为:26±2℃,在12小时的光周期中提供80μmolm-2s-1的光照密度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述增殖培养基中,ba和其它植物生长调节剂联用,联用组合为:1....
【专利技术属性】
技术研发人员:马国华,熊玉萍,吴坤林,曾宋君,陆宏芳,
申请(专利权)人:中国科学院华南植物园,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。