本申请公开了一种高纯度纳米氧化硅胶体及其制备方法和应用。包括以下步骤：(1)将水、醇和有机胺混合，得到混合液I；(2)将有机硅烷与醇混合，得到混合液II；(3)将混合液I与混合液II混合，保温，搅拌，陈化，溶剂交换，得到所述高纯度纳米氧化硅胶体。制备的全过程在PE、PP、PFTE、PFA等不含有金属成分的材料制成的设备、仪器、管道、容器中进行，有利于避免引入金属阳离子，从而缓解后者吸附于抛光后的晶圆表面，或者扩散进入晶圆的问题，防止影响晶圆的电学性能，提升产品良率。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种高纯度纳米氧化硅胶体的制备方法，属于精细化工领域。
技术介绍
1、随着半导体加工技术的发展，甚大规模集成电路的尺寸缩小，在同等大小的硅圆的表面可以制造出更多的元件，也即需要提升晶圆表面的元件和金属连线的密度。在晶圆的加工工艺之中，需要先对晶圆进行全局平坦化处理，才能进行后续的光刻和沉积工序；而在新的材料沉积在晶圆表面之后需要再次进行全局平坦化处理。作为晶圆的全局平坦化的唯一手段，化学机械抛光(chemical mechanical polishing,cmp)在二十世纪80年代由ibm公司首创，基本原理是利用化学反应和机械摩削的共同作用，以实现全局平坦化。具体的，晶圆被固定与抛光头，倒扣于抛光垫上，并与抛光垫发生相对运动；同时，抛光浆料持续地注入晶圆与抛光垫之中，在晶圆旋转的离心力的作用下平铺与抛光垫之上，以发生化学反应和机械摩削的方式实现晶圆表面材料的去除：首先抛光浆料中的纳米颗粒与晶圆接触并且发生化学反应，以在晶圆表面形成软化层；再与晶圆表面产生机械作用，使得晶圆表面软化层被去除。如此往复以实现全局平坦化。
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【技术保护点】
1.一种高纯度纳米氧化硅胶体的制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
5.一种权利要求1～4任一项所述的制备方法制备的高纯度纳米氧化硅胶体，其特征在于，
6.一种化学机械抛光浆料，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的化学机械抛光浆料，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种高纯度纳米氧化硅胶体的制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
5.一种权利要求1～4任一项所述的制备方法制备的高纯度纳米氧化硅胶体，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：任高远，刘翔宇，王树东，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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