一种单光子雪崩二极管阵列、光电测距模组和电子设备制造技术

本申请涉及半导体领域，公开了一种单光子雪崩二极管阵列、光电测距模组和电子设备，包括多个单光子雪崩二极管单元，每个单光子雪崩二极管单元前侧的受光区域设有一个PN结，多个单光子雪崩二极管单元之间背侧设有金属网格；每个单光子雪崩二极管单元中包括：位于背侧的受光区域的上表面和金属网格的上表面的第一介质层；位于第一介质层上的停止层；位于停止层受光区域上方的第二介质层；停止层位于金属网格的最高上表面与第二介质层的上表面齐平，且停止层与第一介质层、第二介质层为不同种类的膜层；位于停止层和第二介质层上表面的钝化层。本申请中设有停止层，可以保证晶圆上不同区域的第一介质层、第二介质层的厚度相等，避免出现颜色异常。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种单光子雪崩二极管阵列、光电测距模组和电子设备。

技术介绍

1、单光子雪崩二极管(single photon avalanche diode，spad)是一种具有单光子探测能力的光电探测雪崩二极管，具有雪崩增益高、响应速度快、功耗低、成本低、易与cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)电路集成等优势。

2、为了降低单光子雪崩二极管阵列中相邻单光子雪崩二极管单元之间的串扰，可以制备金属网格。由于金属网格为凹凸结构，导致金属网格上的钝化层厚度不均匀，应力过大，进而容易导致钝化层上出现裂纹。为了解决这一问题，目前可以在金属网格所在表面沉积一层介质层，并进行研磨抛光以使表面为平整的表面，然后再沉积钝化层。但是在抛光时，由于单光子雪崩二极管阵列所在晶圆在抛光机台上不同位置受力不同，使得晶圆边缘和中心区域的研磨速率不同，进而导致晶圆边缘和中心区域介质层厚度不同，从而引起晶圆表面颜色异常。并且，由于介质层的厚度不均匀，导致光程不同，同一晶圆上不同光子雪崩本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单光子雪崩二极管阵列，其特征在于，所述单光子雪崩二极管阵列包括多个单光子雪崩二极管单元，每个所述单光子雪崩二极管单元前侧的受光区域设有一个PN结，多个所述单光子雪崩二极管单元之间背侧设有金属网格；每个所述单光子雪崩二极管单元中包括：

2.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管阵列，其特征在于，所述单光子雪崩二极管单元内的停止层呈现凹字形，所述单光子雪崩二极管单元内的第一介质层呈现凹字形，内凹部分对应受光区域。

3.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管阵列，其特征在于，所述停止层包括氮化硅层和/或氮氧化硅层，所述第一介质层、第二介质层包括氧化硅层。

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【技术特征摘要】

1.一种单光子雪崩二极管阵列，其特征在于，所述单光子雪崩二极管阵列包括多个单光子雪崩二极管单元，每个所述单光子雪崩二极管单元前侧的受光区域设有一个pn结，多个所述单光子雪崩二极管单元之间背侧设有金属网格；每个所述单光子雪崩二极管单元中包括：

2.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管阵列，其特征在于，所述单光子雪崩二极管单元内的停止层呈现凹字形，所述单光子雪崩二极管单元内的第一介质层呈现凹字形，内凹部分对应受光区域。

3.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管阵列，其特征在于，所述停止层包括氮化硅层和/或氮氧化硅层，所述第一介质层、第二介质层包括氧化硅层。

4.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管阵列，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，李爽，
申请(专利权)人：深圳市灵明光子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：