一种磷化镍/硫化镉异质结纳米棒阵列复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种磷化镍/硫化镉异质结纳米棒阵列复合材料及其制备方法，其是先在FTO导电玻璃上水热生长硫化镉纳米棒阵列，然后通过溶剂热法在硫化镉纳米棒外延生长磷化镍纳米颗粒，从而形成磷化镍/硫化镉异质结纳米棒阵列复合材料。本发明专利技术方法操作简便、高效环保，并可通过调控次磷酸钠的掺量来调控磷化镍的负载量，以实现对磷化镍/硫化镉异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的调控。所得磷化镍/硫化镉异质结纳米棒阵列复合材料具有较高的光电化学性能，可用于光电催化领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机光电材料，具体涉及一种磷化镍/硫化镉异质结纳米棒阵列复合材料及其制备方法。

技术介绍

1、化石燃料的消耗及其造成的严重污染导致了全球的能源环境危机。因此，寻找可再生能源以及化石燃料的各种替代能源变得越来越重要。太阳能因其来源丰富、辐射量大、清洁和可持续等优势，有望替代化石燃料以解决全球能源危机问题。其中，通过开发高效、经济的光电化学转化（pec）技术，将光能转换为化学能，实现持续不断的氢能供给，具有重要的现实意义。而半导体硫化镉作为pec光阳级的理想材料之一，具有带隙较窄、价带位置适宜与成本较低等优点。磷化镍可以和硫化镉形成异质结的结构，有效的分离光生载流子分离传输，也可以在硫化镉表面形成保护层，减少硫化镉自身的光腐蚀效应，有效的提高其在光照下的稳定性。因此，构造异质结以及异质结的掺杂被认为是增强cds光电性能的有效方法。

2、现有技术中，zhen（zhen w, ning x, et al. applied catalysis b:environmental, 2018, 221: 243-257）等人制备了涂覆ni2p外壳本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磷化镍/硫化镉异质结纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中导电玻璃FTO基片的预处理方法是将导电玻璃FTO基片先用体积比为1:1:1的丙酮、异丙醇和去离子水的混合溶液超声清洗60min，再使用去离子水超声清洗60min，60 ℃烘干备用。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所用硝酸镉、硫脲和L-半胱氨酸的摩尔比为1:1:0.6。

4. 根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述水热反应是先在160 ℃下反应1 h，再升温至180...

【技术特征摘要】

1.一种磷化镍/硫化镉异质结纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中导电玻璃fto基片的预处理方法是将导电玻璃fto基片先用体积比为1:1:1的丙酮、异丙醇和去离子水的混合溶液超声清洗60min，再使用去离子水超声清洗60min，60 ℃烘干备用。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所用硝酸镉、硫脲和l-半胱氨酸的摩尔比为1:1:0.6。

4. 根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述水热反应是先在160 ℃下反应1 h，再升温至180 ℃，反应2.5 h。

5. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯苗，谢浩伟，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：