【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压力预测，特别是涉及一种基于dnn和cgan的枢轨接触压力预测方法及系统。
技术介绍
1、在电磁轨道发射器发射过程中，枢轨接触面上的场分布极不均匀，尤其是局部区域的峰值强度接近或达到材料承受极限。在初始状态下，枢轨接触面上的电流分布主要受到接触电阻影响。这一接触电阻受到接触压力分布的调控，其变化会直接影响电流分布，从而进一步影响场的分布。初始时刻枢轨接触压力的精确化设计对电磁轨道炮在现有材料参数下“尽限用”具有重要意义。
2、电磁轨道发射器的电枢大多采用c型电枢。电枢由闭合电路产生的电磁力驱动。良好的电接触是电磁装置高效发射的保证。接触压力的缺失会造成电接触的不稳定，继而引起接触表面的熔化和起弧，从金属-金属接触转变为金属电弧接触进而造成转捩。研究表明，大多数转捩都是由于接触压力不足引起的。电枢和轨道之间的初始预紧力由电枢的弹性变形提供。对初始接触状态的研究对于了解整个发射过程中接触状态变化具有重要作用。
3、以有限元方法为代表的数值模拟方法存在计算量大、计算时间长且无法复用的问题。部分复杂仿真模型...
【技术保护点】
1.一种基于DNN和CGAN的枢轨接触压力预测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于DNN和CGAN的枢轨接触压力预测方法，其特征在于，所述结构参数包括：参数A、参数B、参数C、参数D和参数E；其中，参数A为轨道间距的一半；参数B为过盈量；参数C为尾翼厚度；参数D为电枢尾翼长度；参数E为电枢弧度。
3.根据权利要求1所述的基于DNN和CGAN的枢轨接触压力预测方法，其特征在于，所述建立不同结构参数的电枢模型，并获取不同结构参数下的接触压力值和不同结构参数下对应的接触压力场图，包括：
4.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种基于dnn和cgan的枢轨接触压力预测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于dnn和cgan的枢轨接触压力预测方法，其特征在于，所述结构参数包括：参数a、参数b、参数c、参数d和参数e；其中，参数a为轨道间距的一半；参数b为过盈量；参数c为尾翼厚度；参数d为电枢尾翼长度；参数e为电枢弧度。
3.根据权利要求1所述的基于dnn和cgan的枢轨接触压力预测方法，其特征在于，所述建立不同结构参数的电枢模型，并获取不同结构参数下的接触压力值和不同结构参数下对应的接触压力场图，包括：
4.根据权...
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