【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于同位素分离，具体涉及一种主机电机反电动势快速消除装置和方法。
技术介绍
1、在主机运行工厂，主机电机供电中断后将产生反电动势，主机转速越高，反电动势也越高，有的甚至达到数百伏，对人身和设备都极为不利，且反电动势的存在将使主机降周速度加快，影响工艺系统的安全可靠运行。因此在主机电机供电中断后，须立即对反电动势进行消除。
2、目前采用的消除主机电机反电动势的器件是在主机电机端并联连接一个三相接触器，而且消除原理也非常简单，当需要消除反电动势的时候，人工操作开关使三相接触器线圈通电、主触头吸合，此时相当于对主机电机三相定子绕组进行短接，短接过后将在主机电机定子线圈中产生电流，该电流反应在转子上的磁感应强度与原磁感应强度方向相反，以达到使转子磁性消除，从而消除反电动势的目的。
3、采用该器件进行消除反电动势有以下几个缺点：一是采用的三相接触器属于机械结构器件，动作时间较长，消除反电动势的时间也就较长，反电动势的存在将使主机降周速度加快，对工艺系统的安全可靠运行极为不利；二是仅通过三相接触器的短接将在回路中产...
【技术保护点】
1.一种主机电机反电动势快速消除装置，其特征在于，包括电感(7)、三相桥式整流电路(8)、可控硅驱动电路模块(9)、电缆(10)，所述电感(7)与三相桥式整流电路(8)的两端连接，所述可控硅驱动电路模块(9)连接至三相桥式整流电路(8)的门极端；所述电缆(10)一端与三相桥式整流电路(8)连接，另一端连接至需要消除反电动势的主机电机端。
2.根据权利要求1所述的主机电机反电动势快速消除装置，其特征在于，所述三相桥式整流电路(8)包括第一可控硅(1)、第二可控硅(2)、第三可控硅(3)、第四可控硅(4)、第五可控硅(5)、第六可控硅(6)；所述电感(7)的一...
【技术特征摘要】
1.一种主机电机反电动势快速消除装置，其特征在于，包括电感(7)、三相桥式整流电路(8)、可控硅驱动电路模块(9)、电缆(10)，所述电感(7)与三相桥式整流电路(8)的两端连接，所述可控硅驱动电路模块(9)连接至三相桥式整流电路(8)的门极端；所述电缆(10)一端与三相桥式整流电路(8)连接，另一端连接至需要消除反电动势的主机电机端。
2.根据权利要求1所述的主机电机反电动势快速消除装置，其特征在于，所述三相桥式整流电路(8)包括第一可控硅(1)、第二可控硅(2)、第三可控硅(3)、第四可控硅(4)、第五可控硅(5)、第六可控硅(6)；所述电感(7)的一端连接至第二可控硅(2)、第四可控硅(4)、第六可控硅(6)的阳极端，所述电感(7)的另一端连接至第一可控硅(1)、第三可控硅(3)、第五可控硅(5)的阴极端；所述第二可控硅(2)、第四可控硅(4)、第六可控硅(6)的阴极端分别与第五可控硅(5)、第三可控硅(3)、第一可控硅(1)的阳极端相连。
3.根据权利要求2所述的主机电机反电动势快速消除装置，其特征在于，所述电缆(10)包括三根，一端与分别连接至所述第二可控硅(2)、第四可控硅(4)、第六可控硅(6)的阴极端与第五可控硅(5)、第三可控硅(3)、第一可控硅(1)的阳极端连接的线路上，另一端连接至需要消除反电动势的主机电机端。
4.根据权利要求3所述的主机电机反电动势快速消除装置，其特征在于，所述可控硅驱动电路模块(9)给三相桥式全控整流电路(8)的第一可控硅(1)、第二可控硅(2)、第三可控硅(3)、第四可控硅(4)、第五可控硅(5)、第六可控硅(6)发触发...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨小波，熊钢，杨兵，陈昌进，罗杰元，王涛，胡伟林，卢映宇，沈崇羽，谢敬青，何玲玲，李振宝，
申请(专利权)人：四川红华实业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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