一种具有金刚石纳米复合电流阻挡层的GaN基微盘激光器制造技术

本发明专利技术为一种具有金刚石纳米复合电流阻挡层的GaN基微盘激光器，该激光器的组成包括：沿着芯片外延生长方向依次为衬底层、下接触层；下接触层上表面的中部为下包层；下包层的上部依次为下波导层、量子阱有源层、上波导层；电子阻挡层为环形结构，分布在上波导层上表面的外侧；电子阻挡层上依次覆盖有上包层和上接触层；上波导层上表面至所述上接触层上表面之间的中心区域，填充有为纳米复合电流阻挡层并溢出上接触层上表面；纳米复合电流阻挡层中，排布有矩形阵列纳米柱。本发明专利技术通过金刚石纳米柱结构良好的散热性，提高器件的使用寿命，有效缓解了电流向中心区域扩展，降低了器件的阈值电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微盘激光器领域，涉及一种具有金刚石纳米复合电流阻挡层的gan基微盘激光器及其制备方法，属于半导体激光器。

技术介绍

1、微盘激光器的组成主要包括增益材料和谐振腔，是利用光在侧壁的全反射的机理，来实现回音壁模式发光；由于是以回音壁模式为主，而回音壁模式主要在微盘边缘处产生共振，微盘中心区域的增益介质并不会与共振模式重合，从而对激光器产生激射没有贡献。但是中心区域的电流注入却会使器件阈值电流增大，导致了较高的结温。高结温会增加有源区的非辐射复合，并加速缺陷沿着穿透位错的扩散，这对内部量子效率造成了负面影响，从而造成设备性能的严重恶化。

技术实现思路

1、本专利技术的目的为在于克服现有技术中的不足，提供一种具有金刚石纳米复合电流阻挡层的gan基微盘激光器及其制备方法。该结构在gan基微盘激光器中间深刻蚀凹槽并在其中制备高散热性能的金刚石纳米结构，增加器件散热；同时利用了金刚石纳米结构等效折射率低的特点促使纵向光场分布偏向n型侧，减少p型半导体对光的吸收；同时整个电流阻挡层尺寸大于凹槽尺寸，从而阻止激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有金刚石纳米复合电流阻挡层的GaN基微盘激光器，其特征为，该激光器的组成包括：沿着芯片外延生长方向依次为衬底层、下接触层；

2.如权利要求1所述的具有金刚石纳米复合电流阻挡层的GaN基微盘激光器，其特征为，下包层为下接触层面积的60~80% 。

3.如权利要求1所述的具有金刚石纳米复合电流阻挡层的GaN基微盘激光器，其特征为，所述的阵列为矩形阵列、圆形阵列或圆环形阵列。

4.如权利要求1所述的具有金刚石纳米复合电流阻挡层的GaN基微盘激光器，其特征为，所述衬底层的厚度为1 ~100 μm；材质为Si；

5.如权利要求1所述的具有金...

【技术特征摘要】

1.一种具有金刚石纳米复合电流阻挡层的gan基微盘激光器，其特征为，该激光器的组成包括：沿着芯片外延生长方向依次为衬底层、下接触层；

2.如权利要求1所述的具有金刚石纳米复合电流阻挡层的gan基微盘激光器，其特征为，下包层为下接触层面积的60~80% 。

3.如权利要求1所述的具有金刚石纳米复合电流阻挡层的gan基微盘激光器，其特征为，所述的阵列为矩形阵列、圆形阵列或圆环形阵列。

4.如权利要求1所述的具有金刚石纳米复合电流阻挡层的gan基微盘激光器，其特征为，所述衬底层的厚度为1 ~1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇辉，许湘钰，闫亮，张紫辉，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：