浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片技术

本发明专利技术提供一种浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。浅槽隔离形成方法包括：提供一衬底，并在衬底的上表面依次形成缓冲层和具有刻蚀窗口的停止层；通过刻蚀窗口对缓冲层进行第一刻蚀处理，以在缓冲层形成缓冲沟槽；其中，缓冲沟槽的槽壁为内凹的弧状构型；对缓冲沟槽的槽底进行第二刻蚀处理，以在缓冲沟槽底部的衬底形成初始隔离沟槽；初始隔离沟槽与缓冲沟槽相接的槽口为圆滑的倒角构型；对初始隔离沟槽的槽底进行第三刻蚀处理，以加深初始隔离沟槽的深度，形成隔离沟槽；填充隔离沟槽，形成浅槽隔离。通过本发明专利技术，能在浅槽隔离的开口形成圆滑的倒角，提升半导体结构的性能稳定性，提高半导体的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体地，涉及一种浅槽隔离形成方法、一种半导体器件和一种芯片。

技术介绍

1、浅槽隔离(shallow trench isolation，sti)是一种在半导体制造中用于隔离晶体管和其他半导体器件的结构。它的主要作用是在硅晶片上创建电隔离区域，以防止不同器件之间的电气干扰，同时保持器件之间的紧凑布局。

2、现有技术中，通常在衬底上依次形成缓冲层101和停止层，然后在缓冲层上形成浅槽隔离刻蚀窗口，通过浅槽隔离刻蚀窗口对衬底进行刻蚀，形成矩形沟槽，接着在矩形沟槽内填充介质，形成浅槽隔离。这样形成的浅槽隔离靠近衬底的开口不够圆滑，导致半导体结构的性能差，可靠性低。

技术实现思路

1、针对现有技术中半导体结构的性能差，可靠性低的技术问题，本专利技术提供了一种浅槽隔离形成方法、一种半导体器件和一种芯片，采用该浅槽隔离形成方法能够在浅槽隔离的开口形成圆滑的倒角，有效避免后续形成于浅槽隔离上的栅氧层的损耗，提升半导体结构的性能稳定性，提高半导体的可靠性。

2、为实现上述目的，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述浅槽隔离形成方法包括：

2.根据权利要求1所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀处理采用的刻蚀气体包括：各向同性刻蚀气体和各向异性刻蚀气体。

3.根据权利要求1所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀处理采用的刻蚀气体包括：各向同性刻蚀气体和各向异性刻蚀气体。

4.根据权利要求2或3所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，各向同性刻蚀气体包括但不限于：SF6、CH2F2和C4F8中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀处理采用的刻蚀气体包括各...

【技术特征摘要】

1.一种浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述浅槽隔离形成方法包括：

2.根据权利要求1所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀处理采用的刻蚀气体包括：各向同性刻蚀气体和各向异性刻蚀气体。

3.根据权利要求1所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀处理采用的刻蚀气体包括：各向同性刻蚀气体和各向异性刻蚀气体。

4.根据权利要求2或3所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，各向同性刻蚀气体包括但不限于：sf6、ch2f2和c4f8中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀处理采用的刻蚀气体包括各向异性刻蚀气体。

6.根据权利要求2、3或5所述的浅槽隔离形成方法，其特征在于，各向异性刻蚀气体包括但不限于：c...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵东艳，陈燕宁，吴波，郭建民，任堃，吴永玉，刘芳，邓永峰，郁文，罗宗兰，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：