【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电解液，尤其是涉及一种改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法及其制品、应用。
技术介绍
1、随着人工智能、数据通讯、汽车电子等行业依赖高速数据传输的需求增大，高端电子电路铜箔供需关系日益不足，其中适用于高频高速电路的hvlp铜箔在制备过程中存在泡泡纱问题制约产品合格率及产能释放。调研行业内公司现有专利情况，关于泡泡纱缺陷相关信息大多数在锂电铜箔产品，且锂电铜箔泡泡纱的相关专利没有细化到泡泡纱缺陷的具体尺寸等。
2、专利号cn105905657b、cn214277856u仅提供一种如何在线发现泡泡纱缺陷的检测设备。专利号cn109930180b介绍了一种精确控制铜箔整体面密度的生箔机，通过控制面密度进而改善锂电铜箔泡泡纱，改善程度没有介绍。专利号cn211400668u介绍了一种在粗化过程中由于工况条件导致的泡泡纱缺陷及改善装置，与本专利技术所述的泡泡纱机理不同。专利号cn115992375a介绍了通过添加剂配方改善锂电铜箔泡泡纱，专利技术重点仅在于减小铜箔晶粒尺寸进而提高箔面平整性，未研究晶粒尺寸均匀性及提供微观结构分析图。
3、hvlp铜箔全称极低轮廓铜箔，顾名思义hvlp铜箔粗糙度极低，为实现低粗糙度、抗拉强度、延伸率等物性需求，需要在电解液中加入不同的添加剂改变铜箔沉积速度和晶粒大小进行管控。目前hvlp铜箔添加剂配方润湿剂、整平剂、光亮剂仅能在一定程度细化晶粒，使得hvlp铜箔毛面箔面均匀、平整，达到粗糙度较低的水平，但从微观晶体分析现有hvlp铜箔内部晶体结构尺寸差异大，经烘烤后晶
4、针对上述情况，本专利技术提供一种改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法及其制品、应用。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法，步骤如下：
2、(1)预先准备一级电解液；
3、(2)向一级电解液中加入添加剂后得到二级电解液；
4、(3)在二级电解液中经电解得到生箔，经过表面处理工艺后得到成品hvlp铜箔；
5、其中步骤(2)中所述添加剂包含n-乙酰基半胱氨酸中、疏基乙酸的一种或两种。
6、作为本专利技术的一种实施方式，所述一级电解液的组分包含：铜离子浓度90-98g/l，硫酸根离子浓度210-230g/l，氢离子浓度110-125g/l，氯离子浓度20-30mg/l。
7、作为本专利技术的一种实施方式，所述步骤(3)中二级电解液在参与电解前经过热交换器换热到54℃并过滤后再通过供液系统进入电解槽。
8、作为本专利技术的一种实施方式，所述步骤(3)中电解条件为：在50a/dm2的电流密度下由无缝阴极辊进行电解。
9、作为本专利技术的一种实施方式，所述步骤(3)中二级电解液铜离子浓度为94g/l，氢离子浓度120g/l，氯离子浓度25mg/l。
10、作为本专利技术的一种实施方式，所述步骤(2)中添加剂还包含聚醚化合物、有机硫化合物、含氮杂环化合物中的一种或多种。
11、作为本专利技术的一种实施方式，所述步骤(2)中添加剂还包含聚乙二醇、聚丙二醇、苯基聚二硫丙烷磺酸钠、2-硫基苯并咪唑、苯并三氮唑中的一种或多种。
12、作为本专利技术的一种实施方式，所述的改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法应用于电子和电气、新能源、电子设备领域。
13、本专利技术还提供一种hvlp铜箔，由所述制备方法制备得到。
14、本专利技术还提供所述的hvlp铜箔，其特征在于，应用于电子和电气、新能源、电子设备领域。
15、采用上述技术方案，本专利技术具有如下有益效果：
16、1.通过引入晶粒细化剂n﹣乙酰基半胱氨酸、疏基乙酸的一种或两种混合，晶粒细化剂与其余添加剂产生协同作用，降低阴极辊表面张力使电解液在阴极辊表面分布更均匀增加铜层沉积均匀性。能协助运载晶粒细化剂均匀分布在整个电镀区域，晶粒细化剂在电镀区域阻碍铜离子沉积降低阴极反应速率达到铜箔晶粒尺寸减小的效果。晶粒细化剂中的巯基结构可抑制阴极辊或铜箔凸起区域的晶体生长减少大晶粒出现，进一步的，n-乙酰基半胱氨酸和疏基乙酸具有络合作用，能络合铜离子使其更稳定，有助于控制电镀过程中铜离子的沉积速度，进一步缩小铜箔整个铜层的晶粒尺寸差异，使hvlp铜箔在整个厚度中晶粒尺寸差异减小，尺寸差异更小的晶体结构保证铜箔在后续加工过程或自然放置时内应力减小，大幅度降低泡泡纱缺陷出现的几率。
17、2.通过引入晶粒细化剂改善铜箔沉积的晶粒尺寸以及晶粒尺寸均匀性，进而降低铜箔内部应力提高铜箔稳定性，达到改善泡泡纱缺陷的目的，提高产品合格率。
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1.一种改善泡泡纱缺陷的HVLP铜箔的制备方法，其特征在于，步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的HVLP铜箔的制备方法，其特征在于，所述一级电解液的组分包含：铜离子浓度90-98g/L，硫酸根离子浓度210-230g/L，氢离子浓度110-125g/L，氯离子浓度20-30mg/L。
3.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的HVLP铜箔的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中二级电解液在参与电解前经过热交换器换热到54℃并过滤后再通过供液系统进入电解槽。
4.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的HVLP铜箔的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中电解条件为：在50A/dm2的电流密度下由无缝阴极辊进行电解。
5.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的HVLP铜箔的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中二级电解液铜离子浓度为94g/L，氢离子浓度120g/L，氯离子浓度25mg/L。
6.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的HVLP铜箔的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中添加剂还包含聚
7.根据权利要求6所述的一种改善泡泡纱缺陷的HVLP铜箔的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中添加剂还包含聚乙二醇、聚丙二醇、苯基聚二硫丙烷磺酸钠、2-硫基苯并咪唑、苯并三氮唑中的一种或多种。
8.根据权利要求1～7任一项所述的改善泡泡纱缺陷的HVLP铜箔的制备方法，其特征在于，应用于电子和电气、新能源、电子设备领域。
9.一种HVLP铜箔，其特征在于，由权利要求1～7任一项所述的制备方法制备得到。
10.根据权利要求9所述的HVLP铜箔，其特征在于，应用于电子和电气、新能源、电子设备领域。
...【技术特征摘要】
1.一种改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法，其特征在于，步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法，其特征在于，所述一级电解液的组分包含：铜离子浓度90-98g/l，硫酸根离子浓度210-230g/l，氢离子浓度110-125g/l，氯离子浓度20-30mg/l。
3.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中二级电解液在参与电解前经过热交换器换热到54℃并过滤后再通过供液系统进入电解槽。
4.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中电解条件为：在50a/dm2的电流密度下由无缝阴极辊进行电解。
5.根据权利要求1所述的一种改善泡泡纱缺陷的hvlp铜箔的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中二级电解液...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴帮正，朱洪波，潘少彤，杨红光，
申请(专利权)人：九江德福科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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