【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及光刻，具体涉及一种光刻像差校准方法、装置、存储介质及电子设备。
技术介绍
1、光刻技术是半导体制造中实现纳米级特征图案转移的核心工艺之一，其精度直接影响芯片的性能和良率。在光刻过程中，光学系统的像差（aberration）是导致成像误差的主要原因之一。像差主要包括球差、彗差、像散、场曲等，它们会使投影到硅片上的图案与期望图案之间产生偏差，从而影响最终的制造精度。
2、目前通常光学透镜优化或在线波像差校准来减小像差对成像质量的影响。然而，由于先进节点（如7nm、5nm工艺）对像差校准的精度要求极高，光学透镜制造过程中无法完全消除高阶残差像差。而在线波像差校准方法需要多次调整和测量，耗时长且在高阶像差检测上精度不足。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种光刻像差校准方法、装置、存储介质及电子设备，可以提高光刻像差校准的效率。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种光刻像差校准方法，包括：
3、获取孤立掩模图像；
4、基于所述孤立...
【技术保护点】
1.一种光刻像差校准方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻像差校准方法，其特征在于，所述基于所述孤立掩模图像，采用仿真软件生成光刻成像的初始仿真图像训练集，包括：
3.如权利要求2所述的光刻像差校准方法，其特征在于，所述对所述初始仿真图像训练集中的仿真图像进行傅里叶变换及频域截断，得到目标仿真图像训练集，包括：
4.如权利要求3所述的光刻像差校准方法，其特征在于，所述对若干所述频域图像进行频域截断，得到目标仿真图像训练集，包括：
5.如权利要求4所述的光刻像差校准方法，其特征在于，所述构建所述目标仿真图像训...
【技术特征摘要】
1.一种光刻像差校准方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻像差校准方法，其特征在于，所述基于所述孤立掩模图像，采用仿真软件生成光刻成像的初始仿真图像训练集，包括：
3.如权利要求2所述的光刻像差校准方法，其特征在于，所述对所述初始仿真图像训练集中的仿真图像进行傅里叶变换及频域截断，得到目标仿真图像训练集，包括：
4.如权利要求3所述的光刻像差校准方法，其特征在于，所述对若干所述频域图像进行频域截断，得到目标仿真图像训练集，包括：
5.如权利要求4所述的光刻像差校准方法，其特征在于，所述构建所述目标仿真图像训练集与泽尼克系数的线性回归矩阵，包括：
6.如权利要求5...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。