【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及显示，具体而言，涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
1、micro-led（micro light-emitting diode，微发光二极管）因其高光效，稳定性，广泛应用于于各类显示器件中。但其本身存在一些问题，其中一个是micro-led小尺寸化(＜20μm)后的光效下降，另一个为micro-led小尺寸化峰值效率对应电流密度右移的问题。
2、在相关技术中，通过采用纳米柱led方案，即通过微纳加工，实现纳米尺度led结构发光，减少应变造成的量子斯塔克效应、缺陷造成的非辐射复合，同时通过纳米尺度led光学设计，提升出光效率，解决micro-led随尺寸下降造成峰值效率下降及小电流密度下光效低的问题。
3、但是，在纳米柱led的制备过程中，由于工艺问题会存在导电层与led中的电极层的电性连接不稳定的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例在于提供一种发光二极管芯片及其制备方法，旨在提高发光二极管芯片中导电层与电极层之间的连接性能稳定性。p>
2、本申请本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在将所述导电层与包括多个发光体的所述外延层键合的步骤之中，所述制备方法包括：
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在将所述导电层与包括多个发光体的所述外延层键合的步骤之中，所述制备方法包括：
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫华杰，王明星，孙倩，高天航，赵加伟，张迎香，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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