【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子器件检测，尤其涉及一种基于声发射技术的gan hemt无损检测电路及方法。
技术介绍
1、器件的性能好坏会直接影响到整个电力电子设备乃至整个系统的工作效率，所以对于电力电子器件有效的故障诊断就显得至关重要，实时、无损的在线监测有利于观察电力电子器件状态，及时发现器件的故障问题，从而最大程度地减小损伤器件对整个电力电子设备造成的不良影响。gan hemt器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)现被广泛用于电力电子设备中，而针对gan hemt器件的机械应力波的检测方法，是一项不同于传统的基于电参数、热参数等检测方式的器件状态检测方法，是对传统状态检测方式的补充与辅助。
2、传统的基于电参数、热参数等检测方式的器件状态检测方法，一方面，检测器件的电参数和热参数需要复杂的外围电路支持，可能导致系统稳定性下降，增加系统的故障率，器件状态的检测精度有限；另一方面控制算法复杂，对电参数和热参数的检测需要涉及到精确、复杂的控制算法，才能确保检测数据的准确性和稳定性。
3、因此，有必要提出一种新的针对gan hemt器...
【技术保护点】
1.一种基于声发射技术的GaN HEMT无损检测电路，所述GaN HEMT无损检测电路用于对GaN晶体管进行检测，其特征在于，所述GaN HEMT无损检测电路包括主测试电路、直流电源、信号发生器以及信号采集电路，其中：
2.根据权利要求1所述的基于声发射技术的GaN HEMT无损检测电路，其特征在于，所述主测试电路包括第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2以及第一二极管D1，所述第一电容C1的第一端连接所述GaN晶体管的源极，所述第一电容C1的第二端连接所述第二电阻R2的第一端，所述第一电阻R1的第一端连接所述第一电容C1的第一端，所述第一电阻R1的第二...
【技术特征摘要】
1.一种基于声发射技术的gan hemt无损检测电路，所述gan hemt无损检测电路用于对gan晶体管进行检测，其特征在于，所述gan hemt无损检测电路包括主测试电路、直流电源、信号发生器以及信号采集电路，其中：
2.根据权利要求1所述的基于声发射技术的gan hemt无损检测电路，其特征在于，所述主测试电路包括第一电容c1、第一电阻r1、第二电阻r2以及第一二极管d1，所述第一电容c1的第一端连接所述gan晶体管的源极，所述第一电容c1的第二端连接所述第二电阻r2的第一端，所述第一电阻r1的第一端连接所述第一电容c1的第一端，所述第一电阻r1的第二端连接所述第一电容c1的第二端，所述第二电阻r2的第二端连接gan晶体管的漏极，所述第一二极管d1的正极端连接所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，周晓，区肇栋，尤家亮，单联瑜，文健，谢颖熙，郭家杰，
申请(专利权)人：黑龙江汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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