【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于回流焊接的回流炉和方法。
技术介绍
1、根据美国专利us 7,766,651 b2，回流炉尤其包括：环境气体净化设备，其包括回收装置来在焊接时回收含有经蒸发的焊剂组分的一部分环境气体；加热装置，其将经回收的环境气体加热至期望温度；氧化催化剂，其使经加热的环境气体中含有的焊剂组分燃烧；以及返回装置，其使得在燃烧之后的高温气体返回至加热腔室。根据该美国专利的描述，环境气体中的焊剂组分有效地燃烧，在不采用特定冷却装置的情形下控制加热腔室的温度，以及减少加热腔室中的必要加热。
技术实现思路
1、专利技术人发现这仍是不利的，即气体净化设备的清洁效率低。因此，本专利技术的目的是增强气体净化设备的清洁效率。
2、该目的通过独立权利要求的主题来实现；优选的实施例由从属权利要求明确说明。
3、具体地，该目的具体地通过用于焊接电子电路板的回流焊接炉实现，该炉包括气体净化系统，其用于净化含有从电子电路板蒸发的焊剂组分的气体，其中，该气体净化系统包括至少一个气体净化单元，该气体净化单元包括含有催化剂材料的催化剂单元。
4、本专利技术的目的还具体地通过用于通过回流焊接炉来回流焊接电子电路板的方法实现，其中，含有从电子电路板蒸发的焊剂组分的气体由气体净化系统净化，藉此，至少一个包括含有催化剂材料的催化剂单元的气体净化单元用于净化气体。
5、由此，气体能更有效地被清洁。可以使不同的气体净化单元适应于在相应的气体净化单元专用于的区域或区域组中的蒸气
6、优选地，例如类似于氮气，气体可以是用在焊接炉内部的空气或特定惰性气体或惰性气体混合物。如果提及空气流，则这取决于炉内部的气体类型而代表空气流或气体流或两者。
7、优选地，气体净化单元具有清洁装置，该清洁装置配置成根据以下清洁原理来清洁气体：至少催化剂清洁并且优选地通过将经蒸发的焊剂组分冷凝在气体净化单元内的冷凝器上来附加地清洁。冷凝器优选地是气体净化单元内部的部件或区域，该部件或区域的特征在于装配有冷却装置的表面区域，用以将蒸气冷凝在该表面区域上。可以利用合适的空气/气体导管系统将气体净化单元设置在炉内部或炉外部。
8、在根据本专利技术的又一优选实施例中，炉包括控制单元，其将撞击在至少一个气体净化单元、优选两个、三个、更多个和/或所有气体净化单元的催化剂材料上的气体的温度控制(或者配置成或编程为控制)在180-215℃的范围内。在根据本专利技术的又一优选方法中，将撞击在至少一个气体净化单元的催化剂材料上的气体的温度控制在180-215℃范围内。
9、因此，极为能量有效的操作是可能的。令人惊讶地发现，此种低温度下的清洁性能是足够的。为了在该低温度范围内有效地操作，优选地，催化剂材料包括至少一种来自铂系的金属，尤其优选地是两种或更多种来自铂系的金属。尤其优选地，将撞击在至少一个气体净化单元的催化剂材料上的气体的催化剂温度控制为210℃。
10、在根据本专利技术的又一优选实施例或方法中，至少一个气体净化单元专用于回流焊接炉的冷却区域。
11、由此，冷却区域中的空气能有效地清洁，而对冷却性能不具有影响或者仅仅具有最小的影响。冷却区域对于本领域技术人员是众所周知的。该冷却区域是回流区域之后或接续的区域。优选地，控制冷却区域中的气体，以使该气体具有在70℃-110℃、优选地是80℃-100℃范围内的温度。在冷却区域中冷却单元的设定点优选地是90℃。优选地，将撞击在专用于冷却区域的至少一个气体净化单元的催化剂材料上的气体的温度控制在180-215℃的范围内或优选地控制在210℃，这提供有利的冷却和清洁效率。
12、在根据本专利技术的又一优选实施例中，炉包括清洁排气口或多个清洁排气口，所要由至少一个气体净化单元清洁的气体能通过该清洁排气口例如从炉中排出。在根据本专利技术的又一优选方法中，所要清洁的气体通过清洁排气口排出。
13、该排出口优选地是炉的内壁中的孔口。
14、在根据本专利技术的又一优选实施例中，炉包括
15、鼓风机箱腔室，其具有能透过空气的壁、优选地是穿孔壁，其面向电子电路板的行进路径并且优选地使得鼓风机箱腔室与行进路径分开/界定；
16、优选地相邻且尤其优选地围绕在至少两个或三个侧部的返回腔室；
17、以及风扇，其配置成将气体从返回腔室抽出，将该气体吹送到鼓风机箱腔室中并随后通过壁吹送到电子电路板上，其中，该鼓风机箱包括清洁排气口，管件连接于该清洁排气口并且连接于气体净化单元的入口。在根据本专利技术的又一优选方法中，操作风扇从而将气体从返回腔室抽出，将该气体吹送到鼓风机箱腔室中且随后通过穿孔壁吹送到电子电路板上。
18、由此，该单元使用超压(由风扇分别在鼓风机箱腔室的区域中产生)来将气体运送通过炉。气体优选地无需附加的风扇或电动机就可行进通过清洁装置；其集成在现有的炉概念中，使用通常已存在于鼓风机箱中的风扇。此外，同时，与空气流反向的情况相比，空气流得以优化并且炉维护通常不太必要，因为风扇在较清洁的环境中工作。管件可同等地替代另一种导管、例如通道等等。
19、优选地，风扇设置成紧邻于或邻近于连接鼓风机箱腔室和返回腔室的孔口。优选地，在电子电路板的位置处通过返回腔室至风扇的气体行进路径比从风扇通过鼓风机箱至电子电路板的行进路径更长。因此，经污染的气体具有更长的时间来冷凝、例如冷凝在返回腔室的壁上。优选地，返回腔室至少部分地围绕鼓风机箱并且其具有至少一个垂直外壁。垂直外壁能有利地用于收集经冷凝的焊剂组分。
20、优选地，炉的多个区域各自包括鼓风机箱腔室和返回腔室的此种布置。
21、在根据本专利技术的又一优选实施例中，返回腔室包括清洁入口，管件连接于该清洁入口并且该管件连接于气体净化单元的出口。在根据本专利技术的又一优选方法中，空气由风扇通过清洁入口从催化剂抽吸到返回腔室中。
22、由此，此外，负压力用于增强通过催化剂的空气流。
23、在根据本专利技术的又一优选实施例中，清洁排气口(优选地水平地)横向于电子电路板的行进路径延伸。在根据本专利技术的又一优选方法中，气体由清洁排气口排出，该清洁排气口横向于电子电路板的行进路径延伸。
24、由此，提供相对于均质空气净化的增强。优选地，排气口水平地横向于电子电路板的行进路径的延伸部是炉的内部水平宽度(垂直于行进方向)的至少30％、优选地是至少50％、尤其优选地是至少75％并且最优选地是至少90％。
25、在根据本专利技术的又一优选实施例或方法中，清洁排气口、尤其是横向于电子电路板的行进路径延伸的这种清洁排气口设置在回流焊接炉的两个区域之间。
26、由此，两个相邻区域中的局部空气的清洁等级能有利地被隔开。
27、在根据本专利技术的又一优选实施例或方法中，回流焊接炉的两个区域的一个是峰值(或回流)区域，而另一个区域沿电子电路板的行进方向接续并且是本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于焊接电子电路板(300)的回流焊接炉(1)，所述炉(1)包括气体净化系统，所述气体净化系统用于净化含有从所述电子电路板(300)蒸发的焊剂组分的气体，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的炉(1)，其中，所述外部气体是惰性气体。
3.根据权利要求1所述的炉(1)，其中，所述炉包括控制单元，所述控制单元将撞击在所述至少一个气体净化单元的所述催化剂材料上的气体的温度控制在180-215℃的范围内；并且/或者
4.根据权利要求1所述的炉(1)，其中，所述炉(1)包括清洁排气口(16、26)，将由所述至少一个气体净化单元清洁的气体能通过所述清洁排气口排出。
5.根据权利要求4所述的炉(1)，其中，所述炉(1)包括：
6.根据权利要求5所述的炉(1)，其中，所述返回腔室(13)包括清洁入口(17)，管件(17.1)连接于所述清洁入口并且所述管件(17.1)连接于所述气体净化单元的出口。
7.根据权利要求4所述的炉(1)，其中，所述清洁排气口(16、26)横向于所述电子电路板(300)的行进路径延伸。
...【技术特征摘要】
1.一种用于焊接电子电路板(300)的回流焊接炉(1)，所述炉(1)包括气体净化系统，所述气体净化系统用于净化含有从所述电子电路板(300)蒸发的焊剂组分的气体，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的炉(1)，其中，所述外部气体是惰性气体。
3.根据权利要求1所述的炉(1)，其中，所述炉包括控制单元，所述控制单元将撞击在所述至少一个气体净化单元的所述催化剂材料上的气体的温度控制在180-215℃的范围内；并且/或者
4.根据权利要求1所述的炉(1)，其中，所述炉(1)包括清洁排气口(16、26)，将由所述至少一个气体净化单元清洁的气体能通过所述清洁排气口排出。
5.根据权利要求4所述的炉(1)，其中，所述炉(1)包括：
6.根据权利要求5所述的炉(1)，其中，所述返回腔室(13)包括清洁入口(17)，管件(17.1)连接于所述清洁入口并且所述管件(17.1)连接于所述气体净化单元的出口。
7.根据权利要求4所述的炉(1)，其中，所述清洁排气口(16、26)横向于所述电子电路板(300)的行进路径延伸。
8.根据权利要求4所述的炉(1)，其中，横向于所述电子电路板(300)的行进路径延伸的所述清洁排气口(26)设置在所述回流焊接炉(1)的两个区域(10、20、20.1、20.2、20.3、30、30.1、30.2、40)之间。
9.根据权利要求1所述的炉(1)，其中，所述炉(1)的所述气体导管系统包括导管，所述导管将所述至少一个气体净化单元的出口连接于在所述炉(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赫拉尔杜斯·约翰尼斯·阿德里亚努斯·玛丽亚·迪普施特拉滕，安东尼·科内利斯·克莱恩，
申请(专利权)人：伊利诺斯工具制品有限公司，
类型：发明
国别省市：
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