一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关制造技术

本发明专利技术公开了一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由支流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，金属梁MEMS开关，金属梁的金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和金属地组成。金属梁的金属锚点连接到共面波导金属地，右上侧的直流端口通过直流偏置线连接到共面波导金属地，左上侧的直流端口通过直流偏置线连接到金属电极，可以通过在左侧的直流端口输入不同直流电压来控制金属梁的抬起与吸附到电极的状态，分别对应开关的导通与断开状态；本发明专利技术设计的并联MEMS开关工作与103.33G‑170G之间，保证断开状态隔离度高于33.67dB；导通状态插入损耗低于0.8dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高电容比金属并联式rf mems开关的设计，主要应用在太赫兹频段的卫星通信系统等方面，属于射频前端器件领域。

技术介绍

1、射频mems开关的本质是高效、准确来控制电路通断状况的。与传统的pin二极管开关或变容二极管开关相比，射频mems开关具有尺寸小，重量轻，对加速度不敏感，在微波频率下无直流损耗，并具有高隔离度、低功耗和低插入损耗等优点。对于太赫兹波段的通信系统来说，传统的pin二极管开关或者变容二极管开关在高频段存在损耗特性过高、隔离度过低、线性特性低等问题，不适合应用在高频段的通信系统上，故射频mems开关在高频段上的相控阵天线、卫星交换网络的开关矩阵、可重构天线、雷达、无人机方面有着广泛的应用。

2、根据现有的mems开关的理论知识，mems开关可以通过对外加电源的要求分为有源mems开关和无源mems开关，有源mems开关包括电气、机械、光化学和类似能量场转换为机械能以产生位移，具有良好的驱动性能；无源mems开关利用本身结构为惯性执行器收集能量，具有出色的存储效率和抗电磁波干扰能力；根据接触模式的不同，mems开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关，包括共面波导金属地(14)、硅基衬底(15)和金属地(42)，共面波导金属地(14)位于硅基衬底(15)的上表面；金属地(42)位于硅基衬底(15)的下表面；其特征在于，还包括直流端口金属块、直流偏置线、微带线匹配结构(13)和金属梁MEMS开关；直流端口金属块、微带线匹配结构(13)和金属梁MEMS开关的金属电极均位于硅基衬底(15)的上表面；

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关，其特征在于，金属梁MEMS开关包括从左至右依次连接的左侧桥墩、左侧折叠臂、左侧动作臂、左中臂、H...

【技术特征摘要】

1.一种太赫兹波段高电容比的金属并联式rf mems开关，包括共面波导金属地(14)、硅基衬底(15)和金属地(42)，共面波导金属地(14)位于硅基衬底(15)的上表面；金属地(42)位于硅基衬底(15)的下表面；其特征在于，还包括直流端口金属块、直流偏置线、微带线匹配结构(13)和金属梁mems开关；直流端口金属块、微带线匹配结构(13)和金属梁mems开关的金属电极均位于硅基衬底(15)的上表面；

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段高电容比的金属并联式rf mems开关，其特征在于，金属梁mems开关包括从左至右依次连接的左侧桥墩、左侧折叠臂、左侧动作臂、左中臂、h型结构、右侧中臂、右侧动作臂、右侧折叠臂和右侧桥墩；其中左侧动作臂、左中臂、右侧动作臂和中臂上均腐蚀有周期性的圆孔；所述h型结构微金属梁mems开关的中间导通结构。

3.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段高电容比的金属并联式...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建明，何小龙，张乃柏，关维国，潘庆华，崔岩松，王子莱，汪春霆，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：