【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成光电子领域，具体涉及一种免刻蚀光波导及色散调控的方法。
技术介绍
1、硅平台具有高折射率，高非线性折射率的特点，是开发高密度集成非线性器件的理想材料平台。色散，作为影响非线性器件性能的核心因素之一，直接影响器件的带宽和能量转换效率。比如在克尔光频梳这一前沿技术的研发过程中，异常色散区域的范围尤为关键，它直接限制克尔光频梳所能达到的带宽，进而影响其在光通信、光谱分析以及量子信息处理等领域的应用能力。通过调控波导的几何形貌，如调整波导的宽度、高度以及侧壁倾角等参数，可以有效地调控波导的色散特性。但是以往的色散调控都是基于改变波导的形貌，通过对刻蚀或者光刻开发波导，工艺复杂且会引入由波导侧壁粗糙度引起的散射损耗，进而影响非线性器件的性能。
2、针对通过刻蚀改变波导形貌的色散调控，科研工作者已经进行了广泛的研究。在论文方面，2010年，美国南加州大学的张林等人提出了一种硅狭缝波导，在553nm波长范围内产生0±16ps/nm/km的平坦色散(optics express,18,19,20529)。2016年美国罗切...
【技术保护点】
1.一种基于新型连续束缚态的免刻蚀波导，其特征在于，从上到下依次包括波导包层(1)、低射率平板层(2)、光波导层(3)、氧化埋层(4)及衬底(5)；所述光波导层(3)、氧化埋层(4)及衬底(5)的宽度及长度均相同；所述波导包层(1)是由若干个条形结构组合而成。
2.如权利要求1所述的一种基于新型连续束缚态的免刻蚀波导，其特征在于，所述波导包层(1)的材料为二氧化硅、氮化硅、聚合物中的一种或者多种材料的层状组合。
3.如权利要求1所述的一种基于新型连续束缚态的免刻蚀波导，其特征在于，所述低射率平板层(2)的材料为二氧化硅、氮化硅、聚合物中的一种或...
【技术特征摘要】
1.一种基于新型连续束缚态的免刻蚀波导，其特征在于，从上到下依次包括波导包层(1)、低射率平板层(2)、光波导层(3)、氧化埋层(4)及衬底(5)；所述光波导层(3)、氧化埋层(4)及衬底(5)的宽度及长度均相同；所述波导包层(1)是由若干个条形结构组合而成。
2.如权利要求1所述的一种基于新型连续束缚态的免刻蚀波导，其特征在于，所述波导包层(1)的材料为二氧化硅、氮化硅、聚合物中的一种或者多种材料的层状组合。
3.如权利要求1所述的一种基于新型连续束缚态的免刻蚀波导，其特征在于，所述低射率平板层(2)的材料为二氧化硅、氮化硅、聚合物中的一种或者多种材料的层状组合。
4.如权利要求1所述的一种基于新型连续束缚态的免刻蚀波导，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈威成，胡贵军，韩乐，唐健凯，徐启冬，林慧欣，陈王超，赵梦琴，杨羽翱，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：
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