一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器及其制备方法，属于传感器制备技术领域。器件包括衬底，衬底上设有栅电极，栅电极四周包裹有介电层，介电层上方和一侧侧面设有半导体层，半导体层上方设有源电极和漏电极，源电极在栅电极上方，漏电极在栅电极侧面，漏电极下方为半导体层、衬底，源电极与栅电极之间的半导体层形成耗尽型导电沟道，源电极材料与漏电极材料不相同，源电极形成肖特基接触，漏电极形成欧姆接触，生产成本低廉，绿色环保，可在大气环境下高灵敏度，高稳定性，高寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器及其制备方法，属于传感器制备。

技术介绍

1、随着物联网时代的到来，电子产品的人性化和便携性越来越受到重视。同时，为了保护自然环境和人类，开发低成本、高效、低损耗的监测污染物气体，特别是有害和有毒气体的气体传感装置成为一个迫切的研究方向。生活中，人们直接或间接的向大气中释放了很多有害气体，例如甲烷、一氧化氮、二氧化氮、氨气、二氧化硫和硫化氢等，有时甚至会危及生命。各种气体传感器件中，基于有机场效应晶体管(ofet)的传感器因其轻量、灵活性和低材料/工艺成本等优点而备受关注。ofet气体传感器相比于电阻式器件，由于具有灵敏度高、室温工作、易于集成以及独立的多参数来提高选择性等优点，加上ofet可以作为信号转换器和放大器，因此，有机场效应晶体管作为高性能传感器的单元元件被广泛采用，在气体传感器领域一直倍受人们关注。然而，大多数报道基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器主要关注于半导体领域的发展，而忽略了高驱动电压和高损耗的问题。

2、有机源栅晶体管(osgt)作为一种新兴的晶体管器件由于独特的器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器，其特征在于，包括衬底，衬底上设有栅电极，栅电极四周包裹有介电层，介电层上方和一侧侧面设有半导体层，半导体层上方设有源电极和漏电极，源电极在栅电极上方，漏电极在栅电极侧面，漏电极下方为半导体层、衬底，源电极与栅电极之间的半导体层形成耗尽型导电沟道，源电极材料与漏电极材料不相同，源电极形成肖特基接触，漏电极形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器，其特征在于，半导体层为可溶性的有机半导体材料与天然高k介电材料混合，天然高k介电材料质量占比为半导体层的1％～10％。

3.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器，其特征在于，包括衬底，衬底上设有栅电极，栅电极四周包裹有介电层，介电层上方和一侧侧面设有半导体层，半导体层上方设有源电极和漏电极，源电极在栅电极上方，漏电极在栅电极侧面，漏电极下方为半导体层、衬底，源电极与栅电极之间的半导体层形成耗尽型导电沟道，源电极材料与漏电极材料不相同，源电极形成肖特基接触，漏电极形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器，其特征在于，半导体层为可溶性的有机半导体材料与天然高k介电材料混合，天然高k介电材料质量占比为半导体层的1％～10％。

3.根据权利要求1所述的基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器，其特征在于，可溶性的有机半导体材料包括聚3-己基噻吩、tips-并五苯、含硅氧烷的聚异戊二烯衍生物、pbttt系列的中一种；

4.根据权利要求1所述的基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器，其特征在于，介电层为栅极天然氧化高k介电层，具体为铝电极氧化形成的氧化铝介电层；

5.根据权利要求1所述的基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器，其特征在于，半导体层的厚度为25～100nm。

6.根据权利要求1所述的基于有机垂直源栅晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄昕明，冯潇，高毓阳，关子涵，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：