4H-SiC单晶、SiC外延晶片、以及SiC器件制造技术

本发明专利技术的SiC基板，含有3×10<supgt;14</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以上且1×10<supgt;15</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以下的钽或铌、以及1×10<supgt;16</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以上且1×10<supgt;20</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以下的氮。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及sic基板和sic单晶的制造方法。本申请基于2019年12月9日在日本申请的专利申请2019-222344号主张优先权，将其内容援引于此。

技术介绍

1、碳化硅(sic)与硅(si)相比，绝缘击穿电场大1位数，带隙大3倍。另外，碳化硅(sic)具有热传导率比硅(si)高3倍左右的特性。因此，期待碳化硅(sic)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。因此，近年来，在上述那样的半导体器件中使用sic外延晶片。

2、sic外延晶片是通过在从sic锭切取的sic基板的表面上层叠外延层而得到的。以下，将外延层层叠前的基板称为sic基板，将外延层层叠后的基板称为sic外延晶片。

3、近年来，伴随市场要求，需要sic基板的高品质化和生产效率的提高。例如，在专利文献1记载了含有除原子半径比硅大的轻金属以外的金属元素的碳化硅单晶。通过添加除原子半径比硅大的轻金属以外的金属元素，来消除晶体中的晶格应变，碳化硅单晶的品质提高。

4、现有技术文献

5、专利文献1：日本专利第3876628号公报</p>
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【技术保护点】

1.一种4H-SiC单晶，含有：

2.根据权利要求1所述的4H-SiC单晶，所述SiC单晶是锭。

3.一种SiC外延晶片，具备4H-SiC基板、和在所述4H-SiC基板上层叠的SiC外延层，

4.根据权利要求3所述的SiC外延晶片，所述4H-SiC基板在表面和背面上，所述钽的浓度不同。

5.一种SiC器件，具备4H-SiC基板、和在所述4H-SiC基板上层叠的SiC外延层，

【技术特征摘要】

1.一种4h-sic单晶，含有：

2.根据权利要求1所述的4h-sic单晶，所述sic单晶是锭。

3.一种sic外延晶片，具备4h-sic基板、和在所述4h-sic基板上层叠的sic外延层...

【专利技术属性】
技术研发人员：松濑朗浩，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：