等离子体发生装置和电器设备制造方法及图纸

技术编号:44877655 阅读:34 留言:0更新日期:2025-04-08 00:16
本发明专利技术公开了一种等离子体发生装置和电器设备,涉及等离子体技术领域,其中,等离子体发生装置包括电介质结构、第一电极以及第二电极,电介质结构包覆第二电极,部分电介质结构被设置为平面介质层,第一电极设于平面介质层的背离第二电极的一侧。本申请的技术方案,可以在安全使用等离子体发生装置的条件下,避免等离子体发生装置体积过大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体,特别涉及一种等离子体发生装置和电器设备


技术介绍

1、等离子体杀菌净化是利用两个电极之间放电产生的能量和活性组分,可将空气中的voc(volatile organic compounds,挥发性有机化合物)和病毒细菌杀灭,生成水和二氧化碳,具有区别于其他空气净化技术的优势。

2、相关技术中,为了提高使用安全性,需要增大两电极之间的距离,这容易导致等离子体发生装置体积过大,难以在较小空间中使用。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提出一种等离子体发生装置和电器设备,旨在安全使用等离子体发生装置的条件下,避免等离子体发生装置体积过大。

2、为实现上述目的,本专利技术提出的等离子体发生装置,所述等离子体发生装置包括电介质结构、第一电极以及第二电极,所述电介质结构包覆所述第二电极,部分所述电介质结构被设置为平面介质层,所述第一电极设于所述平面介质层的背离所述第二电极的一侧。

3、本申请还提出一种等离子体发生装置,所述等离子体发生装置包括电介质结构、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体发生装置,其特征在于,所述等离子体发生装置包括电介质结构、第一电极以及第二电极,所述电介质结构包覆所述第二电极,部分所述电介质结构被设置为平面介质层,所述第一电极设于所述平面介质层的背离所述第二电极的一侧。

2.一种等离子体发生装置,其特征在于,包括电介质结构、第一电极以及第二电极,至少部分所述电介质结构位于所述第一电极和所述第二电极之间,所述第一电极和所述第二电极于所述电介质结构的正投影部分重合,重合区域的最大外接圆直径为L;

3.如权利要求2所述的等离子体发生装置,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极的第二爬电距离Dmax≥3Dmin。...

【技术特征摘要】

1.一种等离子体发生装置,其特征在于,所述等离子体发生装置包括电介质结构、第一电极以及第二电极,所述电介质结构包覆所述第二电极,部分所述电介质结构被设置为平面介质层,所述第一电极设于所述平面介质层的背离所述第二电极的一侧。

2.一种等离子体发生装置,其特征在于,包括电介质结构、第一电极以及第二电极,至少部分所述电介质结构位于所述第一电极和所述第二电极之间,所述第一电极和所述第二电极于所述电介质结构的正投影部分重合,重合区域的最大外接圆直径为l;

3.如权利要求2所述的等离子体发生装置,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极的第二爬电距离dmax≥3dmin。

4.如权利要求2所述的等离子体发生装置,其特征在于,所述电介质结构为平面介质结构;

5.如权利要求1至4任一项中所述的等离子体发生装置,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极的至少其中之一设于所述第一电极和所述第二电极之间的部分所述电介质结构的表面;

6.如权利要求1至4任一项中所述的等离子体发生装置,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极之间的距离为h,位于所述第一电极和所述第二电极之间的部分所述电介质结构的厚度为d,满足0≤h-d≤5mm;

7.如权利要求1至4任一项中所述的等离子体发生装置,其特征在于,至少与所述电介质结构相对设置的部分所述第一电极为片状电极结构;

8.如权利要求1至4任一项中所述的等离子体发生装置,其特征在于,至少与所述电介质结构相对设置的部分所述第二电极为片状电极结构;...

【专利技术属性】
技术研发人员:王贤杰潘鑫沛曹拓栋彭文庆
申请(专利权)人:广东美的制冷设备有限公司
类型:发明
国别省市:

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