一种IGBT寿命预测方法、设备、存储介质及程序产品技术

本发明专利技术属于电子电力技术领域，具体涉及一种IGBT寿命预测方法、设备、存储介质及程序产品。本发明专利技术通过获取IGBT的米勒平台持续时间和集电极电流，根据该集电极电流下，米勒平台持续时间和IGBT器件的结温之间的关系，得到与获取的米勒平台持续时间对应的结温；其中，米勒平台持续时间和IGBT器件的结温之间的关系是根据米勒平台持续时间和集电极‑发射极电压的关系、不同集电极电流下集电极‑发射极电压和IGBT器件的结温之间的拟合关系推导得到；再将所述与获取的米勒平台持续时间对应的结温减去壳温得到的差值作为结温温差，利用所述结温温差进行IGBT寿命预测。解决了现有的IGBT寿命预测方法对IGBT寿命预测准确性低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子电力，具体涉及一种igbt寿命预测方法、设备、存储介质及程序产品。

技术介绍

1、igbt(insulated gate bipolar transistor)是一种用于电力电子变换电路的关键功率半导体器件，广泛应用逆变器、变频器和电力放大器等。在igbt的实际服役过程中，igbt承受着高电压、高电流和高温等恶劣环境，容易受到热应力和电压应力的影响，导致器件性能衰减和寿命缩短。通过监测igbt的相关状态参数，对igbt在不同工况下的寿命进行预测具有重要的意义。

2、现有的igbt寿命预测方法主要包括：机器学习方法、物理模型方法、实验数据方法和加速寿命预测模型。其中，机器学习方法利用大量的历史数据来训练预测模型，通过建立复杂的机器学习模型(例如神经网络)可以一定程度上捕捉igbt寿命与多种因素之间的关系；然为这种方法调优过程复杂，对数据和计算资源要求高；且模型的训练和验证过程往往耗时较长。物理模型方法基于对igbt器件内部结构和材料特性的详细理解，建立数学模型来预测寿命，通常涉及复杂的数学计算和仿真，例如热仿真、应力分析等，涉及本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT寿命预测方法，其特征在于，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的IGBT寿命预测方法，其特征在于，利用所述结温温差进行IGBT寿命预测的计算公式为：

3.根据权利要求1所述的IGBT寿命预测方法，其特征在于，所述集电极-发射极电压和IGBT器件的结温之间的拟合关系是通过最小二乘法拟合得到的。

4.根据权利要求1所述的IGBT寿命预测方法，其特征在于，所述米勒平台持续时间的获取过程包括：根据IGBT导通过程中的集电极-发射极电压开始下降和米勒平台结束时这两个时刻，将集电极-发射极电压转换为两个脉冲信号，计算所述两个脉冲信号的上升沿之间的时...

【技术特征摘要】

1.一种igbt寿命预测方法，其特征在于，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的igbt寿命预测方法，其特征在于，利用所述结温温差进行igbt寿命预测的计算公式为：

3.根据权利要求1所述的igbt寿命预测方法，其特征在于，所述集电极-发射极电压和igbt器件的结温之间的拟合关系是通过最小二乘法拟合得到的。

4.根据权利要求1所述的igbt寿命预测方法，其特征在于，所述米勒平台持续时间的获取过程包括：根据igbt导通过程中的集电极-发射极电压开始下降和米勒平台结束时这两个时刻，将集电极-发射极电压转换为两个脉冲信号，计算所述两个脉冲信号的上升沿之间的时间差并作为所述米勒平台持续时间。

【专利技术属性】
技术研发人员：李翔，毛学宇，马玉华，毋少楠，刘三秋，梁思蒙，吴迪，周铭明，平增亮，
申请(专利权)人：中船海为高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：