【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造,特别涉及一种背照式图像传感器。
技术介绍
1、相关技术的cmos图像传感器将波长段分为三个部分,即,红色(r)、绿色(g)和蓝色(b)。其中,彩色过滤器是实现cmos图像传感器彩色化的关键材料,其原理是在玻璃基板上通过颜料分散等工艺涂布r/g/b,从而使通过的白光(入射光)过滤为红、蓝、绿三种基本色素点阵来实现彩色显示。
2、图1为现有技术中的背照式图像传感器的局部结构示意图。从图1所示可知,现有的背照式图像传感器的彩色滤波器30是形成在独立于内部形成有像素阵列20的衬底10之上的材料中,且对于r/g/b像素阵列,其对应的彩色滤波器30为一整块结构,因此,为了实现滤波功能,现有技术中的彩色滤波器的厚度较厚,且极易发生入射光由于发生反射或折射从而串扰到相邻其他像素区域的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种背照式图像传感器,通过将单色光滤波结构设置为由多个通孔组成的矩阵结构,并进一步与吸光层相结合的方式,避免入射光中的杂色光由于反射或折射对相邻像
...【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述单色光滤波结构设置在光接收面侧的所述基底上,或者,所述单色光滤波结构设置在光接收面侧的所述基底中。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述吸光层为多层复合结构;
4.如权利要求3所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述多层复合结构还包括:沿远离所述通孔侧壁的垂直方向层叠设置在所述第一金属层和所述二氧化硅层之间的至少一第二氮化钛层和/或至少一第二金属层。
5.如权利要求3所述的背照式图像传感器,其特征在于
...【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述单色光滤波结构设置在光接收面侧的所述基底上,或者,所述单色光滤波结构设置在光接收面侧的所述基底中。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述吸光层为多层复合结构;
4.如权利要求3所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述多层复合结构还包括:沿远离所述通孔侧壁的垂直方向层叠设置在所述第一金属层和所述二氧化硅层之间的至少一第二氮化钛层和/或至少一第二金属层。
5.如权利要求3所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述第一氮化钛层、所述第一金属层以及所述二氧化硅层在沿远离所述通孔侧壁的垂直方向上的厚度之比为:1:4:5~1:2:3。
6.如权利要求4所述的背照式图像传感...
【专利技术属性】
技术研发人员:饶续,都智,马忠祥,谢荣源,
申请(专利权)人:合肥晶合集成电路股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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