一种用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法技术

本发明专利技术属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法。本发明专利技术通过对整片晶圆进行Mapping测试，获得不同尺寸器件的各种电学参数的中位数，并根据电学参数与对应中位数的误差绝对值对每颗晶片计分，最终分值最高的晶片为中心晶片。本发明专利技术未遗漏任何一颗晶片，克服了由工艺波动带来的中心晶片电学参数偏离中位数的问题，赋分筛选更具有典型性；避免了现有方法筛选得到的中心晶片中某些尺寸器件和/或电学参数较大地偏离Mapping数据的中位数值的问题，提高了利用中心晶片电学性能建立TCAD仿真模型的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，具体涉及一种用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法。

技术介绍

1、在半导体制造过程中，为了评估工艺的稳定性，通常需要利用测试片上的器件性能进行表征。测试片即晶圆(wafer)，每片晶圆上有多颗完全相同的晶片(die)，每颗晶片上都包含了不同宽长比(w/l)尺寸的mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件矩阵。由于制备工艺的偏差，同一片晶圆上的不同晶片中，相同宽长比尺寸的mosfet器件的电学性能存在差异，包括mapping(晶圆测试数据分布图)数据和curve(曲线)数据。其中，mapping数据包括线性区阈值电压vthlin、线性区电流idlin、线性区跨导gmlin、饱和区阈值电压vthsat、饱和区电流idsat、饱和区跨导gmsat等电学参数；curve数据包括i-v、c-v曲线。

2、为了建立mosfet器件的tcad(technology computer aided design)仿真模型，需要筛选得到一颗能够代表制备工艺的具有典型电学参数和curve数据的中心晶片(goldendie)。目前常本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于：

3.如权利要求1所述用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于：

4.如权利要求1所述用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于：所述步骤4中N个分值满足P1＞P2＞……＞PN。

5.如权利要求1所述用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于：所述步骤5中各颗晶片的电学参数分值均包括晶片的Vthlin分值、Idlin分值、gmlin分值、Vthsat...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于：

3.如权利要求1所述用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于：

4.如权利要求1所述用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于：所述步骤4中n个分值满足p1＞p2＞……＞pn。

5.如权利要求1所述用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜江锋，刘成艺，金海续，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：